[發明專利]一種有機無機雜化薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 201810253882.0
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108470830A
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 李金華;江力;黃康;王賢保;梅濤;王建穎
• 申請（專利權）人: 湖北大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種有機無機雜化薄膜晶體管，包括依次設置的襯底、氧化鋅無機半導體層、金屬電極對、有機柵介電質層和金屬電極，所述有機柵介電質層為雙層薄膜，包括層疊的CYTOP薄膜和P(VDF-TrFE-CFE)薄膜，所述CYTOP薄膜與氧化鋅無機半導體層部分接觸。

2.根據權利要求1所述的有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述襯底包括玻璃襯底、硅片或塑料基底。

3.根據權利要求1所述的有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鋅無機半導體層為氧化鋅薄膜，所述薄膜的厚度為5～10nm。

4.根據權利要求1所述的有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述CYTOP薄膜高于金屬電極對頂面的厚度為4～6nm，所述P(VDF-TrFE-CFE)薄膜的厚度為300～360nm。

5.根據權利要求1所述有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬電極對的厚度獨立地為30～40nm。

6.根據權利要求1所述的有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬電極對的間距為70～130nm。

7.根據權利要求1所述低壓有機無機雜化薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬電極的厚度為60～80nm。

8.根據權利要求1～7任意一項所述有機無機雜化薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟:

(1)提供襯底、氧化鋅無機半導體前驅體溶液和有機柵介電質前驅體溶液，所述有機柵介電質前驅體溶液為CYTOP前驅體溶液和P(VDF-TrFE-CFE)前驅體溶液；

(2)將所述氧化鋅無機半導體前驅體溶液旋涂在所述襯底單側表面，在所述襯底表面形成氧化鋅無機半導體層；

(3)在所述氧化鋅無機半導體層表面覆蓋金屬電極對；

(4)在所述步驟(3)得到的金屬電極對表面和金屬電極對之間的無機半導體薄膜表面依次旋涂CYTOP前驅體溶液和P(VDF-TrFE-CFE)前驅體溶液，得到有機柵介電質雙層薄膜；

(5)在所述步驟(4)得到的有機柵介電質雙層薄膜表面覆蓋金屬電極，得到有機無機雜化薄膜晶體管。

9.根據權利要求8所述制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中旋涂在氮氣手套箱中進行，得到所述氧化鋅無機半導體層后還包括：將氧化鋅無機半導體層在氮氣手套箱中加熱，所述加熱溫度為150～250℃，所述加熱時間為30～60min。

10.根據權利要求8所述制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中旋涂在氮氣手套箱中進行，得到所述有機柵介電質雙層薄膜后還包括：將有機柵介電質雙層薄膜在氮氣手套箱中加熱，所述加熱溫度為60～80℃，所述加熱時間為3～5小時。