[發(fā)明專利]一種雙向限流的新型RRAM器件及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810253556.X | 申請(qǐng)日： | 2018-03-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108550695A | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董凱鋒;孫超;盧慎敏;袁震宇;朱來哲;晉芳;莫文琴;宋俊磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)地質(zhì)大學(xué)（武漢） |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武漢知產(chǎn)時(shí)代知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42238 | 代理人： | 馮必發(fā);金慧君 |
| 地址： | 430074 湖*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻變層 底電極 頂電極 制作 磁控濺射 氧空位 限流 金屬陽(yáng)離子 石英玻璃片 電極材料 金屬電極 實(shí)驗(yàn)分析 導(dǎo)電橋 導(dǎo)電絲 金屬絲 氧元素 氧化物 儲(chǔ)氧 誘導(dǎo) 注射 節(jié)能 融合 | ||
1.一種雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，所述RRAM器件包括底電極、阻變層和頂電極，所述底電極采用儲(chǔ)氧電極材料誘導(dǎo)阻變層中的氧空位形成導(dǎo)電絲，所述阻變層為內(nèi)部含有氧元素的氧化物，所述頂電極采用可注射的金屬電極生成金屬絲導(dǎo)電橋。
2.如權(quán)利要求1所述的雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，所述底電極選用200取向TiN電極、Ta電極、Al電極、Ti電極、Nb電極中的任一種，其中，200取向TiN電極由氮化鈦、氮氧化鈦和二氧化鈦組成，氮化鈦的摩爾分?jǐn)?shù)為11％～42％，氮氧化鈦的摩爾分?jǐn)?shù)為17％～47％，二氧化鈦的摩爾分?jǐn)?shù)為26％～56％。
3.如權(quán)利要求1所述的雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，所述頂電極選用Ag電極或Cu電極或Ni電極中的任一種。
4.如權(quán)利要求1所述的雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，所述阻變層為二元氧化物或三元氧化物。
5.如權(quán)利要求1所述的雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，所述RRAM器件在雙向限流下能穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)阻變過程。
6.如權(quán)利要求1所述的雙向限流的新型RRAM器件，其特征在于，在小限流時(shí)，所述RRAM器件能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的阻態(tài)變化過程；在大限流時(shí)，所述RRAM器件維持在低阻，無阻變效果；在不限流時(shí)，所述RRAM器件會(huì)被擊穿。
7.一種權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的雙向限流的新型RRAM器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在石英玻璃片上制作底電極；
采用磁控濺射的方式在所述底電極的上方制作一層阻變層；
采用磁控濺射的方式在所述阻變層的上方制作頂電極，得到RRAM器件。
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