[發明專利]信號衰減器

有效

• 申請號: 201810253454.8
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN110365309B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 高鵬;喬峻石;賴玠瑋
• 申請（專利權）人: 北京紫光展銳通信技術有限公司
• 主分類號: H03H11/24
• 分類號: H03H11/24
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

本發明提供一種信號衰減器，包括：多條MOS管支路和由不同MOS管支路之間的電阻以及各條MOS管支路和地之間的電阻所構成的電阻網絡，其中，每條MOS管支路包括第一MOS管、第二MOS管以及中間節點MOS管，第一MOS管的漏極與第二MOS管的源極連接，并連接至中間節點MOS管的漏極，中間節點MOS管的源極接地，第一MOS管的源極作為每條MOS管支路的第一節點，第二MOS管的漏極作為每條MOS管支路的第二節點；在最左側的第一條MOS管支路中，該條支路的中間節點MOS管和第二MOS管的阻值配比關系使得信號衰減器的輸出信號與該條支路的第一MOS管無關。本發明能夠降低信號衰減器在特定狀態下產生的非線性電壓，改善輸出信號的質量。

技術領域

本發明涉及信號處理技術領域，尤其涉及一種信號衰減器。

背景技術

CMOS射頻接收前端是各種低成本通信芯片中的重要模塊。在某些特定的情況下，射頻接收前端能接收到相當大的信號，為了應對這種狀況，通常需要在低噪放之前加入一級信號衰減器，來對信號進行一定程度的衰減，以免低噪放飽和。

較低頻的接收機(例如FM接收機)中，通常可以采用簡單的R-2R陣列和MOS管開關來實現衰減器。典型的R-2R衰減器的基本結構如圖1所示，采用電阻分壓來對輸入信號進行衰減，通過MOS管開關來選擇導通的路線，對衰減程度進行調節。在衰減最多時，最右側支路的開關導通，其他支路開關斷開。由于衰減器只有在輸入信號較大的時候才會工作在這一狀態下，所以此時最左側的斷開支路承受著較大的電壓擺幅，會產生較大的非線性。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術中至少存在如下技術問題：

對于較大信號，在最大衰減狀態下衰減器最左側斷開支路會產生過大的非線性電壓，并最終使輸出信號存在較大失真。

發明內容

本發明提供的信號衰減器，能夠降低信號衰減器在特定狀態下產生的非線性電壓，改善輸出信號的質量。

本發明提供一種信號衰減器，包括：多條MOS管支路和電阻網絡，所述電阻網絡由不同MOS管支路之間的電阻以及各條MOS管支路和地之間的電阻所構成，其中，

每條所述MOS管支路包括第一MOS管、第二MOS管以及中間節點MOS管，所述第一MOS管的漏極與所述第二MOS管的源極連接，并連接至所述中間節點MOS管的漏極，所述中間節點MOS管的源極接地，所述第一MOS管的源極作為每條MOS管支路的第一節點，所述第二MOS管的漏極作為每條MOS管支路的第二節點；

第一條MOS管支路的第一節點連接至輸入信號，所有MOS管支路的第二節點連接于一點，作為所述信號衰減器的輸出端；

在所述第一條MOS管支路中，該條支路的中間節點MOS管和第二MOS管的阻值配比關系使得所述信號衰減器的輸出信號與該條支路的第一MOS管無關。

可選地，所述電阻網絡滿足R-2R型信號衰減器的阻值特性。

可選地，所述第一條MOS管支路的第二MOS管在關斷時的阻值遠大于該支路的中間節點MOS管的導通電阻、輸入電壓信號的等效內阻以及所述電阻網絡中的任意一個電阻的阻值。

本發明提供的信號衰減器，包括多條MOS管支路和電阻網絡，將每條MOS管支路分為上下兩部分以及一個中間節點MOS管，在上下兩個開關斷開時，除了這兩個開關斷開以外，還額外通過中間節點MOS管將中間節點接地，從而能夠防止輸入信號在中間節點產生過大的非線性電壓。同時通過在最左側的第一條MOS管支路中，合理的選擇開關阻抗，對信號衰減器中第一條MOS管支路的中間節點MOS管和第二MOS管的阻值配比關系作了限定，來減小在特定狀態下最左側支路產生的非線性電壓，提高輸出信號的質量。

附圖說明

圖1為現有的信號衰減器的結構示意圖；

圖2為本發明的信號衰減器的一個實施例的結構示意圖；