[發明專利]橫向雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件

有效

• 申請號: 201810253240.0
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN109817714B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: I·C·馬約爾;A·扎卡;T·赫爾曼;E·M·巴齊齊
• 申請（專利權）人: 格芯美國公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種橫向雙擴散半導體器件，包括由絕緣體上半導體技術的掩埋絕緣體材料構成的柵極電介質、由所述絕緣體上半導體技術的半導體材料構成的溝道區域、位于所述掩埋絕緣體材料的前側上的源極和漏極區域以便柵極形成在所述掩埋絕緣體材料的背側上、位于所述溝道區域上的柵極氧化物層以及位于所述柵極氧化物層上的隔離物，其中所述漏極區域的頂表面與所述隔離物的頂表面共面，以及所述漏極區域接觸所述隔離物、所述溝道區域和所述柵極氧化物層的側表面。

2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述絕緣體上半導體技術是完全耗盡的絕緣體上半導體技術。

3.根據權利要求1所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述掩埋絕緣體材料是具有20nm厚度的掩埋氧化物材料。

4.根據權利要求1所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述漏極區域是由所述絕緣體上半導體技術的所述半導體材料之上的摻雜的外延生長的半導體材料構成的延伸的漏極區域。

5.根據權利要求4所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述橫向雙擴散半導體器件的柵極長度為500nm。

6.根據權利要求5所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述延伸的漏極區域是150nm長度的漂移區域。

7.根據權利要求4所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述掩埋絕緣體材料位于N阱或P阱之上。

8.根據權利要求4所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述絕緣體上半導體技術的襯底被劃分為覆蓋所述溝道區域的N阱和覆蓋所述延伸的漏極區域的P阱。

9.根據權利要求4所述的橫向雙擴散半導體器件，其中所述絕緣體上半導體技術的襯底被劃分為覆蓋所述延伸的漏極區域的N阱和覆蓋所述溝道區域的P阱。

10.根據權利要求4所述的橫向雙擴散半導體器件，其中，所述漏極區域是漂移區域，以及所述橫向雙擴散半導體器件進一步包括放置在混合部分處的柵極端子，所述柵極端子用作背柵電壓以控制所述溝道區域和所述漂移區域。

11.一種半導體結構，包括：

由至少一個阱結構組成的襯底；

位于所述襯底之上的掩埋氧化物層，所述掩埋氧化物層是橫向雙擴散半導體器件的晶體管的柵極電介質材料；

位于所述掩埋氧化物層之上的絕緣體上半導體材料，所述絕緣體上半導體材料是所述晶體管的溝道區域；

位于所述溝道區域上的柵極氧化物層；

位于所述柵極氧化物層上的隔離物；以及

源極和漏極區域，其具有設置在所述掩埋氧化物層上方的相應接觸，

其中所述漏極區域是漂移區域，以及放置在混合部分處的柵極端子用作背柵電壓以控制所述晶體管的所述溝道區域和所述漂移區域，

其中所述漏極區域的頂表面與所述隔離物的頂表面共面，以及所述漏極區域接觸所述隔離物、所述溝道區域和所述柵極氧化物層的側表面。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其中所述絕緣體上半導體材料是完全耗盡的絕緣體上半導體技術。

13.根據權利要求11所述的半導體結構，其中所述掩埋氧化物層具有20nm的厚度。

14.根據權利要求11所述的半導體結構，其中所述漏極區域是由在所述半導體材料之上的摻雜的外延生長的半導體材料構成的延伸的漏極區域，并且所述柵極端子被放置為與所述延伸的漏極區域鄰近。

15.根據權利要求14所述的半導體結構，其中所述延伸的漏極區域是150nm長度的漂移區域。