[發明專利]三維存儲器制造方法

有效

• 申請號: 201810252921.5
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108550578B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 郭玉芳;樂陶然;劉歡;程強;陳世平;邵克堅;陳保友
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11551
• 分類號: H01L27/11551;H01L27/11578;H01L21/28
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種三維存儲器制造方法，包括：

在襯底上形成由交替布置的多個第一介質層和多個第二介質層構成的介質層堆疊；

刻蝕介質層堆疊以形成多個溝道區；

在所述溝道區之間，刻蝕介質層堆疊以形成暴露襯底的槽；以及

執行側向刻蝕，使得所述槽的側壁的曲率至少局部減少并擴大槽的孔徑，其中，側向刻蝕過程中，第二介質層的刻蝕速率大于第一介質層的刻蝕速率。

2.如權利要求1所述的三維存儲器制造方法，其中，側向刻蝕工藝為各向同性的濕法腐蝕或者干法刻蝕。

3.如權利要求1所述的三維存儲器制造方法，其中，執行側向刻蝕的之后進一步包括：

選擇性刻蝕去除第一介質層，形成橫向凹陷；

形成橫向凹陷之后進一步包括，在橫向凹陷中形成由柵極絕緣層和柵極導電層構成的柵極堆疊。

4.如權利要求1所述的三維存儲器制造方法，其中，執行側向刻蝕之后進一步包括：

在襯底中形成共源區；

在多個槽中、在共源區上形成源極接觸。

5.如權利要求4所述的三維存儲器制造方法，其中，形成共源區同時或者之后摻雜。

6.如權利要求1所述的三維存儲器制造方法，其中，形成多個溝道區的步驟進一步包括：

刻蝕介質層堆疊以形成多個溝道孔；

在溝道孔的側壁形成第二介質層堆疊；

在第二介質層堆疊上形成溝道層。

7.如權利要求6所述的三維存儲器制造方法，其中，形成第二介質層堆疊之前進一步包括，在溝道孔底部形成外延層。

8.如權利要求7所述的三維存儲器制造方法，其中，外延層的頂部超過介質層堆疊中最底部的第一介質層的頂部。

9.如權利要求1所述的三維存儲器制造方法，執行側向刻蝕以后進一步包括：過刻蝕襯底。