[發明專利]一種曝光方法、曝光機、半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810252632.5
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN110361937B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 樊春華
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/16;G03F7/038
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明公開了一種曝光方法、曝光機、半導體器件及其制造方法。此曝光方法包括：提供一基底；在所述基底的表面形成光刻膠層；獲取對所述光刻膠層進行曝光的第一離焦量；在所述第一離焦量下曝光所述光刻膠層，以在顯影后形成具有第一側壁角的光刻膠。本發明的技術方案，通過離焦曝光在光刻膠層形成較為平坦的斜坡結構，避免了正常曝光時執行的高溫烘烤的工藝，實現了低溫下平坦的斜坡結構的制作，解決了正常曝光的高溫烘烤工藝無法應用于高溫敏感半導體器件制作的問題。

技術領域

本發明實施例涉及顯示面板制造技術領域，尤其涉及一種曝光方法、曝光機、半導體器件及其制造方法。

背景技術

在顯示面板制造和半導體器件制造的集成電路封裝工藝中往往需要使用較為平坦的斜坡結構來進行工藝制作，平坦的斜坡結構對于光刻后的引線工藝是不可或缺的。

通常，選用聚酰亞胺類光刻膠進行較平坦的斜坡結構的制作，其流程一般為：聚酰亞胺類光刻膠材料先經過曝光顯影，再經過高溫烘烤，后固化得到較為平坦的斜坡結構。然而，聚酰亞胺類光刻膠的高溫固化溫度通常在300℃左右，對于某些無法耐受高溫烘烤的特殊器件，采用上述方法制作斜坡結構會導致器件損壞。

發明內容

本發明提供一種曝光方法、曝光機、半導體器件及其制造方法，通過較低溫度烘烤、離焦曝光，實現平坦的斜坡結構的制作。

第一方面，本發明實施例提出一種曝光方法，該曝光方法包括：

提供一基底；

在所述基底的表面形成光刻膠層；

獲取對所述光刻膠層進行曝光的第一離焦量；

在所述第一離焦量下曝光所述光刻膠層，以在顯影后形成具有第一側壁角的光刻膠。

進一步地，所述獲取對所述光刻膠層進行曝光的第一離焦量包括：

根據曝光時所使用物鏡的數值孔徑，獲取第一離焦量。

進一步地，所述根據曝光時所使用物鏡的根據數值孔徑，獲取第一離焦量包括：

根據如下公式獲取第一離焦量：DF1：DF2＝(NA2/NA1)*(NA2/NA1)；

其中，NA1為曝光時所使用物鏡的數值孔徑，NA2為參考物鏡的數值孔徑；DF1為第一離焦量，DF2為參考物鏡的離焦量。

進一步地，所述在所述第一離焦量下曝光所述光刻膠層之前還包括：

獲取離焦烘烤溫度，在所述離焦烘烤溫度下烘烤所述光刻膠層。

進一步地，獲取離焦烘烤溫度，包括：

設定第一烘烤溫度；

在所述第一烘烤溫度下烘烤所述光刻膠層；

在所述第一離焦量下曝光所述光刻膠層，以在顯影后形成具有第一側壁角的光刻膠；

根據所述第一側壁角、所述第一離焦量及預設離焦量與預設側壁角的關系式，獲取關系系數；

根據所述預設離焦量與預設側壁角的關系式以及所述關系系數，判斷目標側壁角對應的目標離焦量是否位于參考離焦量范圍內；

若是，所述第一烘烤溫度為所述離焦烘烤溫度；

若否，設定第二烘烤溫度，依次重復執行上述烘烤至判斷的過程，直至得到所述離焦烘烤溫度。

進一步地，所述預設離焦量與預設側壁角的關系式為：SWA＝k*DF+90；

其中，SWA為預設側壁角，k為關系系數，DF為預設離焦量。

進一步地，所述目標側壁角的取值范圍為45°-60°。