[發(fā)明專利]III-V族半導體二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810252167.5
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108682694B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設計）人: V·杜德克
• 申請（專利權）人: 3-5電力電子有限責任公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/30
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

堆疊狀III?V族半導體二極管，具有至少10¹⁹N/cm³摻雜劑濃度的n⁺層、10¹²?10¹⁶摻雜劑濃度和10?300μm厚的n^?層、5·10¹⁸?5·10²⁰摻雜劑濃度和大于2μm厚的p⁺層，它們以所提及的順序依次跟隨，包括GaAs化合物，n⁺層或p⁺層構造為襯底，n^?層下側與n⁺層上側材料鎖合連接，n^?層與p⁺層之間布置摻雜中間層，其具有上側和下側，其下側與n^?層上側且其上側與p⁺層下側材料鎖合連接，中間層與n^?層且與p⁺層材料鎖合地連接且p摻雜，堆疊狀III?V族半導體二極管包括大于0.5μm層厚度的第一缺陷層，其布置在p^?層內且具有1·10¹³至5·10¹⁶N/cm³的缺陷濃度。

技術領域

本發(fā)明涉及一種III-V族半導體二極管。

背景技術

由German Ashkinazi的《GaAs Power Devices》，ISBN 965-7094-19-4，第8和9頁已知一種耐高壓的半導體二極管p⁺-n-n⁺。值得期待的是，除了高的耐電壓強度，耐高壓的半導體二極管不僅具有低的接通電阻，而且在截止區(qū)域內具有小的漏電流。

發(fā)明內容

在這些背景下，本發(fā)明的任務在于，說明一種擴展現(xiàn)有技術的設備。

所述任務通過根據(jù)本發(fā)明的III-V族半導體二極管解決。以下還給出了本發(fā)明的有利的構型。

根據(jù)本發(fā)明的主題提供一種堆疊狀的III-V族半導體二極管，其具有n⁺層、n^-層以及p⁺層。

n⁺層具有上側、下側、至少10¹⁹N/cm³的摻雜劑濃度和10μm至675μm之間、優(yōu)選50μm至675μm之間、優(yōu)選50μm至400μm之間的層厚度，其中，n⁺襯底包括GaAs化合物或由GaAs化合物構成。

n^-層具有上側、下側、10¹²-10¹⁶N/cm³的摻雜劑濃度和10-300μm的層厚度，并且包括GaAs化合物或由GaAs化合物構成。

p⁺層具有上側、下側、5·10¹⁸-5·10²⁰N/cm³的摻雜劑濃度并且包括0.5μm至50μm之間的層厚度，或由GaAs化合物構成。

這些層以所提及的順序依次并且單片地構造，其中，所述n⁺層或p⁺層構造為襯底，并且n^-層的下側與n⁺層的上側材料鎖合地連接。

在n^-層(14)與p⁺層(18)之間布置有經摻雜的中間層，所述經摻雜的中間層具有1-50μm的層厚度和10¹²-10¹⁷cm^-3的摻雜劑濃度，并且所述經摻雜的中間層具有上側和下側，其中，中間層的下側與n^-層的上側材料鎖合地連接并且中間層的上側與p⁺層的下側材料鎖合地連接。

中間層(16)與n^-層并且與p⁺層材料鎖合地連接并且是p摻雜的。