[發明專利]一種太陽能電池

在審

• 申請號: 201810251288.8
• 申請日: 2018-03-26
• 公開（公告）號: CN108321229A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 趙博陽
• 申請（專利權）人: 趙博陽
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048;H01L31/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括：

半導體層；

設置在所述半導體層上的吸收層；

設置在所述吸收層背離所述半導體層一側的導電層；

其中，所述吸收層為具有光電導性質和正反向勢壘均≥1伏特的光子吸收層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述半導體層包括：位于同一平面且相互獨立的P型半導體層和N型半導體層；

所述吸收層包括位于同一平面的第一吸收層和第二吸收層，其中，所述第一吸收層位于所述P型半導體層上，所述第二吸收層位于所述N型半導體層上；

所述導電層位于所述第一吸收層和所述第二吸收層上，其中，所述第一吸收層和所述第二吸收層之間通過所述導電層連接。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括：

設置在所述P型半導體層背離所述第一吸收層一側的第一金屬電極；

設置在所述N型半導體層背離所述第二吸收層一側的第二金屬電極。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述半導體層為P型半導體層，且為最高濃度摻雜，電阻率小于0.1mΩ·cm。

5.根據權利要求1所述太陽能電池，其特征在于，所述半導體層為N型半導體層，且為最高濃度摻雜，電阻率小于0.1mΩ·cm。

6.根據權利要求4或5所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池還包括：

設置在所述半導體層背離所述吸收層一側的第一金屬電極；

設置在所述導電層背離所述吸收層一側的第二金屬電極。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述吸收層為本征晶體硅材料層。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述吸收層為本征氧化鋅材料層。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池的正向暗電阻和反向暗電阻的差值與所述正向暗電阻的比值小于或等于10％，或所述太陽能電池的正向暗電阻和反向暗電阻的差值與所述反向暗電阻的比值小于或等于10％。

10.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述導電層為透明導電玻璃。