[發明專利]一種硅片測試臺有效
| 申請號: | 201810247686.2 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN110299297B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | 趙向陽 | 申請(專利權)人: | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 羅磊 |
| 地址: | 201306 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 測試 | ||
1.一種硅片測試臺,其特征在于,所述硅片測試臺包括工作臺、校準器及傳送器;所述傳送器用于拾取待檢測硅片并將拾取到的待檢測硅片傳送至所述工作臺上,所述校準器用于放射X射線至所述待檢測硅片表面,并根據所述待檢測硅片表面反射出的X射線與所述待檢測硅片的夾角對所述工作臺上待檢測硅片的位置進行調整,所述工作臺用于檢測待檢測硅片;所述工作臺包括臺體、升降桿和固定框,所述臺體用于承載所述待檢測硅片,所述升降桿和固定框安裝在所述臺體上,所述升降桿位于所述固定框內,所述升降桿能夠相對于所述固定框上下移動,其中,所述固定框中設置有三個所述升降桿,所述升降桿具有第一端和第二端,所述升降桿的第一端嵌入在所述臺體中,所述升降桿與所述臺體上表面垂直,所述升降桿為可伸縮式,當所述升降桿升起后,所述升降桿的第二端高于所述固定框,所述升降桿降下后,所述升降桿的第二端與所述臺體齊平。
2.如權利要求1所述的硅片測試臺,其特征在于,所述固定框中的三個所述升降桿呈三角形設置。
3.如權利要求1所述的硅片測試臺,其特征在于,所述校準器包括調整結構,所述調整結構用于調整所述待檢測硅片的位置。
4.如權利要求3所述的硅片測試臺,其特征在于,所述校準器還包括檢測結構,所述檢測結構用于檢測所述待檢測硅片的位置。
5.如權利要求1所述的硅片測試臺,其特征在于,所述傳送器包括底座、第一傳送臂和第二傳送臂;所述第一傳送臂活動安裝在所述底座上;所述第二傳送臂活動安裝在所述第一傳送臂上。
6.如權利要求5所述的硅片測試臺,其特征在于,所述第一傳送臂具有第一端和第二端,所述第一傳送臂的第一端旋轉連接在所述底座上,所述第一傳送臂的第二端與所述第二傳送臂旋轉連接。
7.如權利要求6所述的硅片測試臺,其特征在于,所述第二傳送臂具有第一端和第二端,所述第二傳送臂的第一端與所述第一傳送臂的第二端旋轉連接,所述第二傳送臂第一端疊在所述第一傳送臂的第二端上;所述第二傳送臂的第二端設置有凹口。
8.如權利要求7所述的硅片測試臺,其特征在于,所述第二傳送臂的凹口處設置有固定設備。
9.如權利要求7所述的硅片測試臺,其特征在于,所述第二傳送臂上設置有真空吸盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





