[發(fā)明專利]一種單相三電平T型逆變器效率優(yōu)化控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810246323.7 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108429478A | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊飏 | 申請(專利權)人: | 南京鐵道職業(yè)技術學院 |
| 主分類號: | H02M7/483 | 分類號: | H02M7/483 |
| 代理公司: | 南京鐘山專利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝榮 |
| 地址: | 210031 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單相三電平 逆變器 體二極管 半橋 逆變器效率 總功率損耗 導通損耗 電感電流 反向恢復 關斷損耗 輸出電壓 優(yōu)化控制 開關管 逆變器直流側(cè) 工作模態(tài) 工作效率 開通 測量 | ||
1.一種單相三電平T型逆變器效率優(yōu)化控制方法,其特征在于包含以下步驟:
步驟一:測量T型逆變器直流側(cè)電壓vdc、輸出電壓vo和電感電流iL;
步驟二:忽略單相三電平T型逆變器的開關管S2和S3,將逆變器看作單相兩電平半橋VSC,計算開關管的開通損耗、關斷損耗和體二極管的反向恢復損耗;
步驟三:計算單相三電平T型VSC的計算開關管的開通損耗、關斷損耗和體二極管的反向恢復損耗;
步驟四:計算IGBT器件的導通損耗Ptr和體二極管導通損耗Pd;
步驟五:根據(jù)輸出電壓vo和電感電流iL確定逆變器工作模態(tài);
步驟六:計算單相三電平T型VSC的開關損耗和導通損耗,從而得到其總功率損耗P3;忽略中性點開關管S2和S3,將逆變器看作單相兩電平半橋VSC,計算其開關損耗和導通損耗,從而得到其總功率損耗P2;
步驟七:比較P2和P3的大小;若P3大于P2,逆變器工作為單相兩電平半橋VSC,否則逆變器工作為單相三電平T型VSC。
2.按照權利要求1所述的一種單相三電平T型逆變器效率優(yōu)化控制方法,其特征在于:所述步驟二具體為,在所有的工作模態(tài)中,開關管S1和開關管S4互補導通,開關損耗包括導通損耗Pon2和關斷損耗Poff2,同時還有二極管反向恢復損耗Prr2;
Vdc是直流母線電壓,Vdata是數(shù)據(jù)手冊中參考開關電壓,A、B和C都是是常數(shù),在開關管數(shù)據(jù)手冊中A、B由集電極電流方程的IGBT開關損耗得到,C由集電極電流方程的二極管反向恢復能量損耗得到。其中,角度是輸出電壓vo和電感電流iL的相位延遲;
IGBT器件的導通損耗Ptr和反并聯(lián)二極管導通損耗Pd可以表示為:
Ptr=(Vc0+Rs|iL|)|iL|
Pd=(Vd0+Rd|iL|)|iL|
其中Vc0和Vd0是IGBT器件的通態(tài)飽和電壓,電阻Rs和Rd是通態(tài)電阻,可由IGBT器件的伏安特性曲線和反并聯(lián)二極管的數(shù)據(jù)手冊得到。
3.按照權利要求1所述的一種單相三電平T型逆變器效率優(yōu)化控制方法,其特征在于:所述步驟三具體為,
在單相三電平T型VSC工作過程中,開關管S1和S3與開關管S2和S4一樣都是互補導通;在一個周期內(nèi),單相三電平T型VSC的輸出電壓vo從0到Vdc/2,或者從-Vdc/2到0;由于開關管在導通和關斷時開關管兩端電壓減小為Vdc/2,因此開關管開關損耗相應減小;因此:
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