[發(fā)明專利]{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備及應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810245972.5 | 申請日： | 2018-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN108911056B | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張亞男;韓勝男;黎雷;趙國華 | 申請（專利權(quán)）人： | 同濟大學(xué) |
| 主分類號： | C02F1/467 | 分類號： | C02F1/467;C02F1/72;C02F1/32;C02F101/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 陳亮 |
| 地址： | 200092 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 001 可控 暴露 氧化 電極 制備 應(yīng)用 | ||
1.{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備方法，其特征在于，該方法以鈦板為鈦源，以氫氟酸為封端劑，通過水熱方法在鈦基底上原位生長TiO2類鏡面狀微球，得到二氧化鈦光電極的{001}晶面暴露比可達100%，該方法具體采用以下步驟：
（1）將鈦板在硝酸、氫氟酸和水混合得到的拋光液中化學(xué)拋光；
（2）將化學(xué)拋光后的潔凈鈦板放入氫氟酸和水混合得到的反應(yīng)液中進行水熱反應(yīng)；所述氫氟酸和水的體積比為0.027:30，且氫氟酸濃度≥38 wt%；水熱時間為4h，溫度為180℃；
（3）樣品取出清洗干燥后，在空氣氛圍中進行煅燒即可；煅燒時間為2~5h。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述硝酸、氫氟酸和水的體積比為2:1:6~ 4:1:6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述硝酸、氫氟酸和水的體積比為3:1:6。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的制備方法，其特征在于，步驟（3）中煅燒的升溫速率為1~5℃/min，煅燒溫度為400℃~550℃，煅燒時間為2~5h。
5.{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的應(yīng)用，其特征在于，以權(quán)利要求1制備的{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極作為工作電極，鉑片作為對電極，飽和甘汞電極為參比電極，在三電極體系中，采用硫酸鈉去離子水溶液為電解質(zhì)，利用紫外光照射及施加偏壓下光電催化氧化降解鄰苯二甲酸二甲酯廢水。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的{001}晶面可控暴露的二氧化鈦光電極的應(yīng)用，其特征在于，紫外光光強為50~200mW/cm2，施加偏壓為+0.2~+0.8V，光照降解時間為3~8h。
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