[發明專利]小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器

在審

• 申請號: 201810245548.0
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN108695584A
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 何思潔;陳珮琦;王其鵬;周波
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學;南京郵電大學南通研究院有限公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 姚姣陽

一種小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器，包括LTCC基板和七個傳輸級；LTCC基板在垂直方向上分為十三層；所述七個傳輸級分別位于所述LTCC基板的奇數層上，并在垂直方向上堆疊設置；所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過位于所述相鄰奇數層之間的偶數層進行隔離，且所述偶數層中設置有對應的具有離地間隙的垂直過孔，所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過對應的所述垂直過孔連接。上述的方案，可以減小威爾金森功率分配器所占用的電路面積，縮小威爾金森功率分配器的尺寸。

技術領域

本發明涉及電氣元件技術領域，具體地涉及一種小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器。

背景技術

功率分配器是微波接收，射頻及頻率合成系統中不可缺少的部件，在天線饋電，平衡放大器，混頻器和移相器中應用非常廣泛。

威爾金森功率分配器是由威爾金森發明的，具有小于20％的窄帶相對帶寬，后由Cohn 完成了級聯多節結構的寬帶特性描述。

然而，現有技術中的威爾金森功率分配器存在著占用電路面積較大的問題。

發明內容

本發明解決的技術問題是如何減小威爾金森功率分配器所占用的電路面積，縮小威爾金森功率分配器的尺寸。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器，包括LTCC基板和七個傳輸級；

LTCC基板在垂直方向上分為十三層；

所述七個傳輸級分別位于所述LTCC基板的奇數層上，并在垂直方向上堆疊設置；

所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過位于所述相鄰奇數層之間的偶數層進行隔離，且所述偶數層中設置有對應的具有離地間隙的垂直過孔，所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過對應的所述垂直過孔連接。

可選地，所述連接所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間的垂直過孔的轉換半徑和離地間隙均相同。

可選地，所述垂直過孔的轉換半徑和離地間隙分別為0.08mm和0.22mm。

可選地，用于隔離所述傳輸級的輸出端口的薄膜電阻器均集成于所述LTCC基板中。

可選地，所述薄膜電阻器為NiCr薄膜電阻器。

可選地，所述LTCC基板所采用的材料為Ferro-A6，介電常數為5.9，損耗角正切為0.002。

可選地，，所述LTCC基板的每一層的厚度均為0.1mm。

可選地，所述小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器的尺寸為4mm * 4 mm *1.33 mm。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：

上述的方案，采用十三層的LTCC基板結構，且七個傳輸級分別位于所述LTCC基板的奇數層上，并在垂直方向上堆疊設置；所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過位于所述相鄰奇數層之間的偶數層進行隔離，且所述偶數層中設置有對應的具有離地間隙的垂直過孔，所述LTCC基板的相鄰奇數層上設置的傳輸級之間通過對應的所述垂直過孔連接，與采用平面級聯結構的威爾金森功率分配器相比，可以大大縮減電路所占用的面積，減少威爾金森功率分配器的尺寸。

附圖說明

圖1是現有技術中一種的平面級聯結構的威爾金森功率分配器的結構示意圖；

圖2是本發明實施例的一種小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器的結構示意圖；

圖3是本發明實施例的一種小型寬帶低溫共燒陶瓷威爾金森功率分配器的立體結構示意圖；