[發明專利]一種消耗平板磁性裝置漏感的方法及基于該方法的平板磁性裝置

在審

• 申請號: 201810245481.0
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN108511172A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 倪川;陳勁泉
• 申請（專利權）人: 無錫瓴芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01F27/34
• 分類號: H01F27/34;H01F27/24;H01F27/28
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張歡勇

1.一種消耗平板磁性裝置漏感的方法，其特征在于：選取平板磁性裝置中的任意一層繞組層，在該繞組層與前一層之間或者該繞組層與后一層之間平行設置導電介質層，導電介質層上匹配設有用于平板磁性裝置的磁芯的磁柱穿過的通孔和/或缺口，在導電介質層上位于相鄰磁柱之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至磁柱穿過的通孔或者缺口的邊緣，隔離線中不具有導電介質，導電介質層的覆蓋面積大于所有繞組層產生的磁通的覆蓋面積，所有繞組層產生的漏磁磁通在導電介質層產生感應電流，且基于隔離線的設置，導電介質層不會產生圍繞磁芯磁柱的感應電流，從而使得在平板磁性裝置的漏磁磁通被消耗的同時，不會導致主磁通的損耗。

2.一種基于權利要求1所述的消耗平板磁性裝置漏感的方法的平板磁性裝置，其特征在于：包括相匹配的上磁芯和下磁芯、PCB板，所述上磁芯或者下磁芯上設有至少2個磁柱，所述PCB板設于上磁芯和下磁芯之間且具有多層結構，每層結構均設有用于磁柱穿過的通孔和/或缺口，在多層結構中至少包括2層金屬層，其中1層金屬層作為導電介質層，其余層金屬層作為繞組布設層，所述導電介質層的覆蓋面積大于等于所有繞組布設層上的繞組產生的磁通的覆蓋面積，所述導電介質層上位于相鄰磁柱之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至磁柱穿過的通孔或者缺口的邊緣，所述隔離線中不具有導電介質。

3.根據權利要求2所述的平板磁性裝置，其特征在于：所述平板磁性裝置為平板變壓器，所述上磁芯朝向下磁芯的一面兩側分別設有1個磁柱，所述PCB板包括2層金屬層，其中一層金屬層作為繞組布設層，另一層金屬層作為導電介質層，每層金屬層上均設有用于上磁芯的2個磁柱穿過的2個通孔，所述繞組布設層上的原邊繞組和副邊繞組分別圍繞2個通孔布設，所述導電介質層的覆蓋面積大于等于原邊繞組和副邊繞組產生的磁通的覆蓋面積之和，所述導電介質層上2個通孔之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至2個通孔的邊緣，所述隔離線中不具有導電介質。

4.根據權利要求2所述的平板磁性裝置，其特征在于：所述平板磁性裝置為平板變壓器，所述上磁芯為E型磁芯，所述下磁芯為I型磁芯，所述PCB板包括N層金屬層，N取正整數且≥3，任意一層金屬層作為導電介質層，其余層金屬層分為兩部分，一部分作為原邊繞組布設層，另一部分作為副邊繞組布設層，每層金屬層上均設有與E型磁芯的3個磁柱相匹配的3個通孔，所述原邊繞組布設層上的原邊繞組和副邊繞組布設層上的副邊繞組均圍繞位于中間的通孔布設，所述導電介質層的覆蓋面積大于等于原邊繞組和副邊繞組產生的磁通的覆蓋面積之和，所述導電介質層上的相鄰的2個通孔之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至2個通孔的邊緣，所述隔離線中不具有導電介質。

5.根據權利要求2所述的平板磁性裝置，其特征在于：所述平板磁性裝置為平板電感，所述上磁芯為E型磁芯，所述下磁芯為I型磁芯，所述PCB板包括N層金屬層，N取正整數且≥2，任意一層金屬層作為導電介質層，其余層金屬層作為繞組布設層，每層金屬層上均設有用于E型磁芯的3個磁柱穿過的3個通孔，所述繞組布設層上的繞組圍繞位于中間的通孔布設，所述導電介質層的覆蓋面積大于等于繞組產生的磁通的覆蓋面積，所述導電介質層上相鄰的2個通孔之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至2個通孔的邊緣，所述隔離線中不具有導電介質。

6.一種基于權利要求1所述的消耗平板磁性裝置漏感的方法的平板磁性裝置，其特征在于：包括相匹配的上磁芯和下磁芯，所述上磁芯或者下磁芯上設有至少2個磁柱，所述上磁芯和下磁芯之間設有多層PCB板，每層PCB板上均設有用于磁柱穿過的通孔和/或缺口，至少1層PCB板的金屬層作為繞組布設層，與任意一層繞組布設層相鄰的PCB板的金屬層作為導電介質層，所述導電介質層的覆蓋面積大于等于所有繞組布設層上的繞組產生的磁通的覆蓋面積，所述導電介質層上位于相鄰磁柱之間的區域內布設有至少一根隔離線且隔離線的兩端分別延伸至磁柱穿過的通孔或者缺口的邊緣，所述隔離線中不具有導電介質。