[發(fā)明專利]一種威爾金森功分器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810245224.7 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108400418A | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王檸琳;王其鵬;黃齡萱;周波 | 申請(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué);南京郵電大學(xué)南通研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/16 | 分類號: | H01P5/16 |
| 代理公司: | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
| 地址: | 210023 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 分支線結(jié)構(gòu) 傳輸線 金絲鍵合線 電容 威爾金森功分器 端口位置 級聯(lián) 對稱設(shè)置 內(nèi)部設(shè)置 諧波抑制 功分器 對稱 通信 | ||
本發(fā)明公開了一種威爾金森功分器,包括對稱設(shè)置的第一分支線結(jié)構(gòu)、第二分支線結(jié)構(gòu)以及用于通信的第一端口、第二端口和第三端口,第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有電容、金絲鍵合線、第一傳輸線以及第二傳輸線;第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有相同數(shù)量且對稱的電容和金絲鍵合線,第一分支線結(jié)構(gòu)由內(nèi)部的電容通過金絲鍵合線級聯(lián)形成,第二分支線結(jié)構(gòu)由內(nèi)部的電容通過金絲鍵合線級聯(lián)形成;第一傳輸線設(shè)置在第一端口位置處,第一端口通過第一傳輸線與第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)連接,所述第二傳輸線設(shè)置在所述第二端口和第三端口位置處;本發(fā)明既實現(xiàn)了良好的諧波抑制,又實現(xiàn)了功分器的小型化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域,尤其涉及一種威爾金森功分器。
背景技術(shù)
功分器是一種將一路輸入信號能量分成兩路或多路輸出相等或不相等能量的器件,被廣泛應(yīng)用于各種電子器件中,為了使得功分器的在應(yīng)用中具備更高的性能,更長的使用壽命,一般需要對功分器進行諧波抑制等操作,同時這也是行業(yè)內(nèi)的一大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的方式是使用一些線性方式,通過使用額外有源元件以減少諧波和噪聲相位,如預(yù)失真和反饋技術(shù)。但是,由于它們的慢波和帶阻效應(yīng),許多無源元件的緊湊結(jié)構(gòu),如周期性的光子帶隙、電磁帶隙和缺陷地結(jié)構(gòu)不斷被用來抑制高次諧波,然而,與光子帶隙和電磁帶隙相同的是,缺陷地結(jié)構(gòu)也需要在背平面上的刻蝕工藝和精確定位,從而增加了加工時間和難度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題,提供一種威爾金森功分器,具體技術(shù)方案如下:
一種威爾金森功分器,包括對稱設(shè)置的第一分支線結(jié)構(gòu)、第二分支線結(jié)構(gòu)以及用于通信的第一端口、第二端口和第三端口,所述第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有電容、金絲鍵合線、第一傳輸線以及第二傳輸線;
其中,所述第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置有相同數(shù)量且對稱的所述電容和金絲鍵合線,所述第一分支線結(jié)構(gòu)由內(nèi)部的所述電容通過所述金絲鍵合線級聯(lián)形成,所述第二分支線結(jié)構(gòu)由內(nèi)部的所述電容通過所述金絲鍵合線級聯(lián)形成;
所述第一傳輸線設(shè)置在所述第一端口位置處,所述第一端口通過所述第一傳輸線與所述第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)連接,所述第二傳輸線設(shè)置在所述第二端口和第三端口位置處,所述第二端口通過所述第二傳輸線與所述第一分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述電容連接,所述第三端口通過所述第二傳輸線與所述第二分支線結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述電容連接。
本發(fā)明的進一步改進在于:所述功分器還包括一電阻R,所述電阻R貼設(shè)在所述第二傳輸線上。
本發(fā)明的進一步改進在于:所述電容和所述第一端口、第二端口和第三端口以及第一傳輸線和第二傳輸線均為微帶樣式。
本發(fā)明的進一步改進在于:一個所述金絲鍵合線和一個所述電容組合形成一個BWMI單元,所述第一分支線結(jié)構(gòu)和第二分支線結(jié)構(gòu)均由六個所述BWMI單元構(gòu)成。
本發(fā)明提出的功分器中兩個分支線結(jié)構(gòu)對稱設(shè)置,并且在每一個分支線結(jié)構(gòu)中將內(nèi)部的電容通過金絲鍵合線級聯(lián)連接,電容以微帶模式制備,在實際情況中,可對電容的面積和金絲鍵合線的長度進行調(diào)節(jié),增加金絲鍵合線的長度時,可以提高整個功分器的電感值,增大電容面積時,可以提高整個功分器的電容值,這樣,可以實現(xiàn)功分器不同程度的諧波抑制效果,同時實現(xiàn)功分器整體的小型化;本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點為:一方面通過調(diào)節(jié)電容和金絲鍵合線實現(xiàn)不同效果的諧波抑制,另一方面可有效縮減功分器的尺寸。
附圖說明
圖1為本發(fā)明威爾金森功分器的結(jié)構(gòu)組成示意圖;
圖2為本發(fā)明分支線結(jié)構(gòu)中的BWMI單元的結(jié)構(gòu)組成示意圖;
圖3為本發(fā)明分支線結(jié)構(gòu)中部分結(jié)構(gòu)的等效電路圖;
圖4為本發(fā)明分支線結(jié)構(gòu)的S參數(shù)仿真圖;
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