[發(fā)明專利]固態(tài)硬盤的物理安全擦除有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810243816.5 | 申請日: | 2018-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN108932963B | 公開(公告)日: | 2020-01-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈震雷;N.N.楊;G.雷迪 | 申請(專利權(quán))人: | 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司 |
| 主分類號: | G11C16/14 | 分類號: | G11C16/14 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 區(qū)塊 選擇柵 擦除 存儲單元 編程存儲單元 固態(tài)硬盤 物理安全 控制器 擦除指令 閾值電壓 選擇門 編程 存儲 | ||
1.一種固態(tài)硬盤的物理安全擦除的方法,所述固態(tài)硬盤包括布置在多個(gè)區(qū)塊中的、用于數(shù)據(jù)存儲的多個(gè)存儲單元,所述方法包括:
接收物理安全擦除命令;
對所述區(qū)塊的存儲單元執(zhí)行擦除操作;
對所述區(qū)塊的存儲單元執(zhí)行存儲編程操作;
執(zhí)行識別操作以尋找所述區(qū)塊的一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元;以及
僅對所述區(qū)塊的包括一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元的一部分執(zhí)行到多個(gè)選擇門的選擇門編程操作,
其中,所述選擇門編程操作使得與所述區(qū)塊的包括一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元的該部分相對應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)字線不可訪問。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行到多個(gè)選擇門的選擇門編程操作包括編程選擇柵漏的閾值電壓高于讀取水平。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行到多個(gè)選擇門的選擇門編程操作包括編程選擇柵源的閾值電壓高于讀取水平。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行到多個(gè)選擇門的選擇門編程操作包括編程選擇柵源和選擇柵漏的閾值電壓高于讀取水平。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行識別操作以尋找所述區(qū)塊的一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元包括從執(zhí)行擦除操作中識別一個(gè)或多個(gè)失效擦除的存儲單元。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,執(zhí)行識別操作以尋找所述區(qū)塊的一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元包括從執(zhí)行存儲編程操作中識別一個(gè)或多個(gè)失效編程的存儲單元。
7.一種固態(tài)硬盤,包括:
控制器;
多個(gè)區(qū)塊,具有多個(gè)NAND串,每個(gè)NAND串包括串聯(lián)連接的選擇柵漏、多個(gè)存儲單元和選擇柵源;
存儲擦除指令,在被控制器執(zhí)行時(shí)導(dǎo)致控制器:
對所述區(qū)塊的存儲單元執(zhí)行擦除操作;
編程所述區(qū)塊的存儲單元;
識別所述區(qū)塊的一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元;以及
從NAND串的一部分增加從由選擇柵漏和選擇柵源構(gòu)成的組中選擇的選擇門的一個(gè)或多個(gè)的閾值電壓,其中,NAND串的該部分包括一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元,
其中,增加所述選擇門的一個(gè)或多個(gè)的所述閾值電壓使得與NAND串的包括所述一個(gè)或多個(gè)失效存儲單元的該部分相對應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)字線不可訪問。
8.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)硬盤,其中,所述選擇門的閾值電壓被編程成高于讀取水平。
9.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)硬盤,其中,所述選擇柵漏的閾值電壓被編程成高于讀取水平。
10.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)硬盤,其中,所述選擇柵源的閾值電壓被編程成高于讀取水平。
11.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)硬盤,其中,所述選擇柵漏和選擇柵源的閾值電壓被編程成在讀取水平之外。
12.一種非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),包含在被控制器執(zhí)行時(shí)執(zhí)行擦除固態(tài)硬盤的下列方法的指令:
對多個(gè)區(qū)塊的多個(gè)存儲單元執(zhí)行擦除操作;
對所述區(qū)塊的存儲單元執(zhí)行閃存寫入操作;
執(zhí)行識別操作以尋找所述區(qū)塊的壞的一部分;以及
從所述區(qū)塊的壞的一部分增加多個(gè)選擇門的閾值電壓,
其中,從所述區(qū)塊的壞的該部分增加所述多個(gè)選擇門的閾值電壓使得所述區(qū)塊的壞的該部分不可訪問。
13.如權(quán)利要求12所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),其中,所述選擇門的閾值電壓被編程成高于讀取水平。
14.如權(quán)利要求12所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),其中,所述選擇柵漏的閾值電壓被編程成在讀取水平之外。
15.如權(quán)利要求12所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),其中,所述選擇柵源的閾值電壓被編程成在讀取水平之外。
16.如權(quán)利要求12所述的非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),其中,所述選擇柵漏和選擇柵源的閾值電壓被編程成在讀取水平之外。
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