[發(fā)明專利]一種金屬薄膜制備工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810243020.X
• 申請(qǐng)日: 2018-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN108428765A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白安洋;陳柏?zé)?/a>;于洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京夢(mèng)之墨科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬薄膜制備工藝，其特征在于，包括：

將母材與基材置于同一導(dǎo)電溶液中，并保持所述母材與基材之間相接觸；

通過所述導(dǎo)電溶液中電子的移動(dòng)，驅(qū)使所述母材在所述基材上擴(kuò)散，形成金屬薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電溶液中的電子的移動(dòng)通過施加電源電壓產(chǎn)生；其中，電源正極置于所述導(dǎo)電溶液中，且不與所述母材和基材接觸；電源負(fù)極與所述基材接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述電源負(fù)極與所述基材遠(yuǎn)離所述母材的一側(cè)接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述電源電壓的電極采用惰性電極；

所述電源電壓為直流電源、能提供直流電的電源、脈沖電源中的一種；

所述電源電壓的范圍在0～2000V；

單位時(shí)間內(nèi)所述金屬薄膜的厚度與所述電源電壓的電流大小相關(guān)，所述電流越大，所述金屬薄膜的厚度越高。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述導(dǎo)電液體為濃度在0.01～5mol/L范圍內(nèi)的離子溶液；所述離子溶液為酸溶液、堿溶液或鹽溶液；或者，所述導(dǎo)電溶液為活性金屬與液體發(fā)生電解反應(yīng)中的電解溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述活性金屬選用鋁粉。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述母材為鎵、鎵銦任意配比的合金或鎵銦硒任意配比的合金，或所述母材為鎵鋁混合物、鎵銦任意配比合金與鋁的混合物、鎵銦硒任意配比合金與鋁的混合物，且雜質(zhì)含量少于0.001％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，所述基材為銅箔、銅塊、銅板或表面鍍銅的任意材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，形成的所述金屬薄膜的化學(xué)組成為CuGa_a；其中，0＜a≤7。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，形成的所述金屬薄膜的化學(xué)組成為CuGa_bIn_c，其中，0＜b≤7，0＜c≤7。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，形成的所述金屬薄膜的化學(xué)組成為CuGa_dIn_eSe_f，其中，0＜d≤7，0＜e≤7，0＜f≤7。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，在將母材與基材置于同一導(dǎo)電溶液中之前，還包括：去除基材表面污物和氧化物。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，在形成金屬薄膜之后，還包括：

對(duì)所述金屬薄膜采用去離子水清洗，再通過50～70℃高純惰性氣體吹干表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜制備工藝，其特征在于，選用不同的母材，交替應(yīng)用所述制備工藝，形成復(fù)合金屬薄膜

所述復(fù)合金屬薄膜由CuGa_a、CuGa_bIn_c、CuGa_dIn_eSe_f中任意組合。

15.一種薄膜太陽能電池前體，其特征在于，所述薄膜太陽能電池前體采用如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的金屬薄膜制備工藝制備。