[發明專利]準直出光的OLED結構及其構成的器件有效
| 申請號： | 201810242585.6 | 申請日： | 2018-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN108461650B | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 周雷;范媛媛;林毅;王延宗;白桂林;畢安然;胡瑞 | 申請（專利權）人： | 淮陰工學院 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 淮安市科文知識產權事務所 32223 | 代理人： | 廖娜 |
| 地址： | 223005 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 準直出光 oled 結構 及其 構成 器件 | ||
1.一種準直出光的OLED結構，其特征在于，包括OLED層(1)、過渡層(2)和菲涅爾透鏡層(3)，所述過渡層（2）設置在所述OLED層(1)的出光面上，所述菲涅爾透鏡層（3）設置在所述過渡層(2)上，且所述OLED層(1)與所述菲涅爾透鏡層(3)具有共同的中心對稱軸；所述菲涅爾透鏡層(3)由齒形環（3a）和基底（3b）組成，所述基底（3b）介于所述過渡層（2）與所述齒形環（3a）之間，所述齒形環（3b）上具有偶數個齒牙，各齒牙的形狀為1/4個橢球狀，偶數個所述齒牙在所述中心對稱軸兩側呈鏡面對稱設置，且各所述齒牙的弧面朝上、長平面朝下與所述基底（3b）貼合、短平面垂直于所述基底（3b）設置；
所述過渡層（2）的折射率小于所述菲涅爾透鏡層(3)的折射率，且小于等于所述OLED的基底材料的折射率。
2.根據權利要求1所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述的基底（3b）的厚度H為3～9 mm，所述齒形環（3a）中的每個齒牙的寬度W均為0.1～1.0 mm。
3.根據權利要求1所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述菲涅爾透鏡層(3)的面積與所述OLED層(1)的面積比為5～10：1。
4.根據權利要求1所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述菲涅爾透鏡層(3)的折射率為1.4～2.0。
5.根據權利要求1所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述過渡層(2)的厚度為0.1～2 mm。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述OLED層(1)依次由基片(1a)、第一電極層(1b)、第一電荷傳輸層(1c)、發光層(1d)、第二電荷傳輸層(1e)和第二電極層(1f)依次層疊而成。
7.根據權利要求1至5中任一項所述的準直出光的OLED結構，其特征在于，所述過渡層(2)為空氣層；或者，所述過渡層由在可見光范圍內折射率小于1.5的透明材料制成。
8.一種由權利要求1至7中任一項所述的準直出光的OLED結構組成的準直出光的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件具有至少一個所述準直出光的OLED結構。
9.根據權利要求8所述的準直出光的OLED器件，其特征在于，若所述OLED器件具有兩個及以上所述OLED結構，則各所述OLED結構呈隨機性分布或周期性陣列分布。
10.根據權利要求9所述的準直出光的OLED器件，其特征在于，所述OLED結構為矩形或圓形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
