[發明專利]一種硅片清洗后簡單有效的保存方法在審
| 申請號: | 201810242584.1 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108447943A | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 黃仕華;黃玉清;芮哲;王佳 | 申請(專利權)人: | 浙江師范大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 朱楓 |
| 地址: | 321004 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 界面態密度 二氧化硅 硅片清洗 硅片 保存 無水乙醇溶液 異丙醇溶液 氮氣吹干 去離子水 外界空氣 自然密封 生長 隔絕層 濃硝酸 致密性 袋中 沖洗 浸泡 清洗 | ||
【權利要求書】:
1.一種硅片清洗后簡單有效的保存方法,其特征在于:包括如下步驟:通過丙酮和無水乙醇去表面油污,然后用25wt%NaOH溶液對硅片進行去損傷層30μm,再用標準RCA清洗法對硅片進行清洗,然后用1%HF去除硅片氧化層,得到干凈疏水的硅片表面,將其浸泡于質量濃度為68%的HNO3中,121℃油浴加熱10min,從而在清潔硅片表面生長一層二氧化硅層,以隔絕硅片表面與外界的接觸,然后用氮氣吹干保存于自然密封袋中,待使用前用1%HF溶液完全去除二氧化硅層,氮氣吹干即可投入下一步工藝使用。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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