[發(fā)明專利]一種信號(hào)傳輸方法及信號(hào)傳輸電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810241146.3
• 申請(qǐng)日: 2018-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108390683B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁野;徐逸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東小天才科技有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/04
• 分類號(hào): H04B1/04;H04B1/3827;H04B1/40
• 代理公司: 廣州德科知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44381
• 代理人: 萬(wàn)振雄;楊中強(qiáng)

一種信號(hào)傳輸方法及信號(hào)傳輸電路，該信號(hào)傳輸電路應(yīng)用于可穿戴設(shè)備中，其中：主控芯片發(fā)送包括與第一射頻信號(hào)信息相匹配的2G信號(hào)的頻率信息的第一射頻信號(hào)信息至射頻收發(fā)芯片，并發(fā)送根據(jù)第一射頻信號(hào)的頻率信息獲取第一射頻信號(hào)的功率等級(jí)至APT芯片；射頻收發(fā)芯片發(fā)送第一射頻信號(hào)至TxM芯片；APT芯片輸出與功率等級(jí)相匹配的控制電壓至TxM芯片；TxM芯片在控制電壓的控制下，對(duì)第一射頻信號(hào)進(jìn)行功率調(diào)整和濾波，得到第二射頻信號(hào)，并發(fā)送第二射頻信號(hào)至天線模塊；天線模塊在接收到第二射頻信號(hào)時(shí)，輸出第二射頻信號(hào)。實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，能夠降低可穿戴設(shè)備的發(fā)射消耗，從而提高可穿戴設(shè)備的續(xù)航能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及可穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種信號(hào)傳輸方法及信號(hào)傳輸電路。

背景技術(shù)

目前，可穿戴設(shè)備通常是使用傳輸模塊(Transmit Module，TM)內(nèi)部的2G功率放大器(Power Amplifier，PA)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)2G射頻信號(hào)的功率放大的，其中，現(xiàn)有的TM是通過(guò)電池電壓(voltage battery，VBAT)對(duì)PA進(jìn)行偏置供電的。在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，使用VBAT為PA提供的偏置電壓是保持不變的，這就使得在信號(hào)的發(fā)射功率較小時(shí)，增加了可穿戴設(shè)備的發(fā)射功耗，從而降低了可穿戴設(shè)備的續(xù)航能力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種信號(hào)傳輸方法及信號(hào)傳輸電路，能夠降低可穿戴設(shè)備的發(fā)射消耗，從而提高可穿戴設(shè)備的續(xù)航能力。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面公開(kāi)了一種信號(hào)傳輸方法，所述方法應(yīng)用于可穿戴設(shè)備的信號(hào)傳輸電路中，所述信號(hào)傳輸電路包括主控芯片、射頻收發(fā)芯片、射頻電源管理APT芯片、發(fā)射模組TxM芯片以及天線模塊，所述方法包括：

所述主控芯片發(fā)送第一射頻信號(hào)信息至所述射頻收發(fā)芯片；所述第一射頻信號(hào)信息包括與所述第一射頻信號(hào)信息相匹配的第一射頻信號(hào)的頻率信息，所述第一射頻信號(hào)為2G信號(hào)；

所述主控芯片以所述第一射頻信號(hào)的頻率信息為依據(jù)，獲取所述第一射頻信號(hào)的功率等級(jí)，并發(fā)送所述功率等級(jí)至所述APT芯片；

所述射頻收發(fā)芯片在接收到所述第一射頻信號(hào)信息時(shí)，發(fā)送所述第一射頻信號(hào)至所述TxM芯片；

所述APT芯片在接收到所述功率等級(jí)時(shí)，輸出與所述功率等級(jí)相匹配的控制電壓至所述TxM芯片；

所述TxM芯片在所述控制電壓的控制下，對(duì)所述第一射頻信號(hào)進(jìn)行功率調(diào)整和濾波，得到第二射頻信號(hào)，并發(fā)送所述第二射頻信號(hào)至所述天線模塊；

所述天線模塊在接收到所述第二射頻信號(hào)時(shí)，輸出所述第二射頻信號(hào)。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例第一方面中，所述APT芯片在接收到所述功率等級(jí)時(shí)，輸出與所述功率等級(jí)相匹配的控制電壓至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片在接收到所述功率等級(jí)時(shí)，獲取所述TxM芯片內(nèi)置的功率放大器的功放參數(shù)；

所述APT芯片以所述功率等級(jí)與所述功放參數(shù)為依據(jù)，計(jì)算得到與所述功率等級(jí)和所述功放參數(shù)二者相匹配的控制電壓；

所述APT芯片輸出所述控制電壓至所述TxM芯片。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例第一方面中，所述APT芯片輸出所述控制電壓至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片輸出所述控制電壓至所述TxM芯片的直流電壓接口；所述TxM芯片的直流電壓接口用于接受所述控制電壓，并為所述TxM芯片進(jìn)行供電操作。

作為一種可選的實(shí)施方式，在本發(fā)明實(shí)施例第一方面中，所述TxM芯片在所述控制電壓的控制下，對(duì)所述第一射頻信號(hào)進(jìn)行功率調(diào)整和濾波，得到第二射頻信號(hào)，并發(fā)送所述第二射頻信號(hào)至所述天線模塊，包括：