[發(fā)明專利]低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810240376.8
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN108400165A
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖蕾;黎怡;蘇萌
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335
• 代理公司: 武漢科皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是，包括：

GaN基底；

位于所述GaN基底上兩端的源電極和漏電極；

位于所述GaN基底上表面源極和漏極之間的高K介質(zhì)層；

位于高K介質(zhì)層上的鐵電聚合物層；

位于鐵電聚合物層上的頂柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是：

所述GaN基底依次包括襯底、AlN成核層、GaN緩沖層、AlN插入層、AlGaN勢壘層。

3.如權(quán)利要求1所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是：

所述源電極和所述漏電極均為多層金屬堆疊的層電極。

4.如權(quán)利要求1所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是：

所述的高K介質(zhì)層為HfO₂介質(zhì)層、ZrO₂介質(zhì)層或Al₂O₃介質(zhì)層。

5.如權(quán)利要求1所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是：

所述鐵電聚合物層為聚偏氟乙烯基鐵電聚合物層。

6.如權(quán)利要求1所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管，其特征是：

所述頂柵電極為多層金屬堆疊的層電極。

7.低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征是，包括：

在GaN基底上表面的兩端分別形成源電極和漏電極；

在形成了源電極和漏電極的GaN基底上表面制作與頂柵電極圖形對應(yīng)的光刻膠圖形；

以光刻膠圖形為掩膜，在GaN基底上表面依次形成高K介質(zhì)層、鐵電聚合物層、頂柵電極；

剝離掉光刻膠圖形。

8.如權(quán)利要求7所述的低功耗氮化鎵基負(fù)電容場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征是：

在GaN基底上表面形成鐵電聚合物層，包括：

在高K介質(zhì)層上旋涂鐵電聚合物層，并于110℃～130℃溫度下退火0.5h～2h。