[發明專利]一種SERS芯片的制備方法

有效

• 申請號: 201810239791.1
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN108627493B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 孫海龍;郭清華
• 申請（專利權）人: 蘇州英菲尼納米科技有限公司
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 汪青;周敏

1. 一種SERS芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟： 通過自組裝方法在基底上形成多個無序分布的第一導電材料；在所述的第一導電材料表面原位生長第二導電材料；所述的基底的表面具有多個凹坑，所述的第一導電材料自組裝在所述的凹坑內，每個所述凹坑內包括由多個所述第一導電材料聚集而形成的納米粒子聚集體；所述凹坑具有多種規格以使所述SERS芯片在微觀下呈現出微觀無序的形態，所述凹坑的規格由所述凹坑周向的輪廓形狀、凹坑的體積、凹坑的開口面積限定，當二個凹坑的周向的輪廓形狀、凹坑的體積、凹坑的開口面積三個中的任意一個不同時，視為二種規格；所述凹坑的深度范圍為30nm～2μm，口部直徑范圍為50nm～4μm；所述凹坑的密度為10⁸～10¹⁰個/cm²襯底，相鄰二個所述凹坑之間的最小間隔距離為1～50nm；

所述第一導電材料為納米粒子，納米粒子的粒徑范圍為2nm～120nm；所述第二導電材料的生長厚度為20～200nm。

2.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述納米粒子的粒徑范圍為2～80nm。

3.根據權利要求2所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述納米粒子的粒徑范圍為5～30nm。

4.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述第一導電材料和所述第二導電材料包括金、銀、銅、鉑、鋁中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述第一導電材料的納米粒子為合金結構或者核殼結構。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述第一導電材料與所述第二導電材料是相同或者不同的。

7.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述的基底包括無機基材、有機基材或者無機/有機復合基材。

8.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：相鄰二個所述凹坑之間的最小間隔距離為5～50nm。

9.根據權利要求8所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：相鄰二個所述凹坑之間的最小間隔距離為10～30nm。

10.根據權利要求1所述的SERS芯片的制備方法，其特征在于：所述的凹坑通過紫外刻蝕、化學刻蝕、激光刻蝕、納米球印刷術或電化學法制得。

11.一種由權利要求1至10中任一項權利要求所述的制備方法制得的SERS芯片；所述基底的表面具有多個凹坑，所述的第一導電材料自組裝在所述的凹坑內，所述第一導電材料與所述第二導電材料不同。

12.一種如權利要求1至10中任一項權利要求所述的制備方法制得的SERS芯片在低濃度有機物檢測中的應用。