[發明專利]測量標記與監測半導體制作工藝的方法

有效

• 申請號: 201810238840.X
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN110299345B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 徐筱淋;劉恩銓;陳宜廷;李修申
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種測量標記，其特征在于，包含：

多組由第一內側圖案區塊、第一中間圖案區塊及第一外側參考圖案區塊構成的圖案，設于第一區域內；

其中該第一內側圖案區塊包含多條直線圖案，沿著第一方向延伸，以及一塊狀圖案，所述塊狀圖案中具有多條中空的間隙圖案，其中該第一中間圖案區塊包含多條直線圖案，沿著第一方向延伸，以及一塊狀圖案，所述塊狀圖案中具有多條中空的間隙圖案；

第一間隙壁圖案，沿著各該多條直線圖案的周邊設置；以及

第二間隙壁圖案，沿著各該多條間隙圖案的周邊設置。

2.如權利要求1所述的測量標記，其中包含四個矩形區域，相對于一中心排列成2×2的陣列，所述四個矩形區域包括設置于對角的第一區域及第二區域，及設于對角的第三區域及第四區域，其中該多組由第一內側圖案區塊、第一中間圖案區塊及第一外側參考圖案區塊構成的圖案，設于該第一區域內。

3.如權利要求2所述的測量標記，其中另包含多組由第二內側圖案區塊、第二中間圖案區塊及第二外側參考圖案區塊構成的圖案，設于該第二區域內，其中該第一區域內的所述多組由第一內側圖案區塊、第一中間圖案區塊及第一外側參考圖案區塊構成的圖案與該第二區域內的所述多組由第二內側圖案區塊、第二中間圖案區塊及第二外側參考圖案區塊構成的圖案互為旋轉對稱。

4.如權利要求1所述的測量標記，其中該多條直線圖案是以一第一間距排列，該多條間隙圖案是以一第二間距排列。

5.如權利要求4所述的測量標記，其中所述第一間距等于所述第二間距。

6.如權利要求4所述的測量標記，其中所述塊狀圖案有彼此平行的第一長邊及第二長邊，其中該第一長邊位于該多條間隙圖案與該多條直線圖案之間。

7.如權利要求6所述的測量標記，其中所述第二長邊至該多條間隙圖案的距離大于三倍的該第二間距。

8.如權利要求1所述的測量標記，其中另包含第三間隙壁圖案，沿著各該塊狀圖案的周邊設置，并包圍該第二間隙壁圖案。

9.如權利要求1所述的測量標記，其中所述第一間隙壁圖案的寬度大于所述第二間隙壁圖案的寬度。

10.如權利要求3所述的測量標記，其中所述第三區域及所述第四區域包含沿著第二方向延伸的多條直線圖案。

11.如權利要求1所述的測量標記，其中該第一內側圖案區塊與該第一中間圖案區塊互為旋轉對稱。

12.如權利要求1所述的測量標記，其中所述第一內側圖案區塊、第一中間圖案區塊及第一外側參考圖案區塊均形成于一晶片上的一當層中。

13.如權利要求1所述的測量標記，其中所述第一內側圖案區塊與第一中間圖案區塊形成于一晶片上的一當層中，所述第一外側參考圖案區塊形成于一前層或一后層中。