[發(fā)明專利]一種空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810238503.0
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN108493232A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃興;牛喜平;陳欣璐
• 申請（專利權(quán)）人: 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11003
• 代理人: 張宇鋒

1.一種空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)包括從器件的有源區(qū)向器件邊緣依次分布的JTE結(jié)構(gòu)與場線環(huán)結(jié)構(gòu)；其中，所述JTE結(jié)構(gòu)至少包含一個(gè)空間調(diào)制的區(qū)域，該區(qū)域的注入?yún)^(qū)占該區(qū)域總面積的1％至99％；若包含兩個(gè)及以上的空間調(diào)制區(qū)域，注入?yún)^(qū)占比從有源區(qū)向器件邊緣遞減；所述場線環(huán)結(jié)構(gòu)包括至少包含一個(gè)場線環(huán)，若包含兩個(gè)及以上的場線環(huán)，場線環(huán)的間隔可以是相同間隔、等差間隔或者不等間隔。

2.一種權(quán)利要求1所述的空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法為：

首先在器件表面的離子注入?yún)^(qū)域設(shè)置注入掩膜阻擋層，然后通過離子注入來制作所述JTE結(jié)構(gòu)和所述場線環(huán)結(jié)構(gòu)，通過調(diào)節(jié)所述注入掩膜阻擋層的阻擋圖形密度來制作形成注入?yún)^(qū)占比從有源區(qū)向器件邊緣遞減的JTE結(jié)構(gòu)；并通過調(diào)制場線環(huán)間隔來調(diào)制場線環(huán)的注入比例。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜阻擋層為0.5um—3um厚的氧化硅、氮化硅、多晶硅、光刻膠或者他們的混合結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述離子注入的角度為0-45度，離子注入能量1keV-3000keV，劑量為2E11cm^-2-2E15cm^-2。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空間劑量調(diào)制JTE與場線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩膜阻擋層上的阻擋層圖形為圓形，圓環(huán)形或者多邊形。