[發明專利]一種調制薄膜激光感生電壓的方法有效
| 申請號： | 201810237816.4 | 申請日： | 2018-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN108534945B | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 虞瀾;劉安安;宋世金;胡建力;崔凱 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | G01L11/02 | 分類號： | G01L11/02;H01L41/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 調制 薄膜 激光 感生 電壓 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種調制薄膜激光感生電壓的方法，其特征在于：選取c軸傾斜的單晶壓電材料作為襯底，在單晶壓電襯底上生長具有激光感生電壓效應的外延薄膜，在壓電襯底兩端施加外電壓，控制外電壓的大小即可調制薄膜的激光感生電壓；
所述c軸傾斜的單晶壓電材料為SiO2、單晶Si或ZnS，傾斜角為5°～15°；在單晶壓電襯底上生長的外延薄膜為：在SiO2傾斜襯底上生長ZnO、CuAlO2或者CuCr1-xMgxO2薄膜、在單晶Si傾斜襯底上生長YBa2Cu3O7-x、ZnO或者AlN薄膜，在ZnS傾斜襯底上生長HfO2薄膜。
2.根據權利要求1所述調制薄膜激光感生電壓的方法，其特征在于：薄膜生長方法為溶膠-凝膠法、脈沖激光沉積法、分子束外延法或者磁控濺射法。
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