[發(fā)明專利]一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池界面處理劑及處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810237033.6 | 申請日: | 2018-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN108550639B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 司華山 | 申請(專利權(quán))人: | 臺州市棱智塑業(yè)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務(wù)所 52100 | 代理人: | 李亮;李余江 |
| 地址: | 318020 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅異質(zhì)結(jié) 太陽能電池 界面 處理 方法 | ||
1.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池界面處理劑,其特征在于,其組分按重量百分比,包括:
5%~8%的四甲基氯化銨,1%~3%的過甲酸,40%~60%的去離子水,以及使用前最后加入的40%~60%的乙醇,在使用前加入的乙醇除增加極性提高除污效果外,還可和過甲酸進行緩慢反應(yīng),去除多余的過甲酸。
2.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池界面處理方法,其特征在于,包括:
1)采用乙酸、雙氧水、水的混合溶液清洗太陽能硅片,去離子水沖洗;
2)采用權(quán)利要求1所述的處理劑清洗經(jīng)步驟1)處理所得太陽能硅片,去離子水沖洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述步驟2)完成之后還包括:
3)采用次氯酸鈉、雙氧水、水的混合溶液清洗經(jīng)所述步驟2)處理所得太陽能硅片,去離子水沖洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述步驟1)中其組分按重量百分比,乙酸為10%~30%,雙氧水為0.5%~2%,其余為去離子水。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法,其特征在于,所述步驟3)中其組分按重量百分比,次氯酸鈉為5%~10%,雙氧水為0.5%~2%,其余為去離子水。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理方法,其特征在于,所述步驟2)中將太陽能硅片浸入所述處理劑中,于70~80℃的溫度下清洗10~15分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理方法,其特征在于,清洗后還包括降溫過程,當溫度降至30~40℃,超聲波清洗10~15分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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