[發(fā)明專利]墨水及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810236834.0
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN110294967A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王雄志;向超宇;朱佩
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: C09D11/30
• 分類號: C09D11/30;C09D11/38;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 黃志云

本發(fā)明提供了一種墨水，以所述磁性性載流子傳輸材料墨水的總重量為100％計(jì)，包括如下重量百分含量的下列組分：磁性載流子傳輸材料0.01?30.0％；有機(jī)溶劑70?99.9％；所述磁性載流子傳輸材料為核殼結(jié)構(gòu)的磁性載流子傳輸材料，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)的內(nèi)核為磁性納米顆粒，外殼為載流子傳輸材料，且所述載流子傳輸材料為無機(jī)半導(dǎo)體材料。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種墨水及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes QLED)是基于無機(jī)納米晶的量子點(diǎn)材料的發(fā)光器件，由于其具有波長可調(diào)、發(fā)射光譜窄、穩(wěn)定性高、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高等優(yōu)點(diǎn)，成為下一代顯示技術(shù)的有力競爭者。

QLED器件中，通常可遷移空穴由陽極經(jīng)空穴注入、傳輸層到達(dá)發(fā)光層，并與由陰極經(jīng)電子注入、傳輸層遷移的電子復(fù)合形成激子，進(jìn)而激子輻射發(fā)射光子。載流子平衡問題成為影響QLED器件、特別是多層結(jié)構(gòu)QLED器件發(fā)光效率的重要因素。然而，值得注意的是，過多的空穴或電子都會產(chǎn)生三粒子系統(tǒng)從而致使產(chǎn)生的激子淬滅，從而降低器件發(fā)光效率和穩(wěn)定性。因此，在不同類型器件中，改變載流子遷移率，改善載流子注入平衡是提高器件效率和穩(wěn)定性的有效方法。

近年來，由于噴墨打印技術(shù)具有高精度、無需Mask、非接觸性、按需打印等優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛關(guān)注。其中基于溶液的功能性材料和先進(jìn)的噴墨打印設(shè)備來制作光電器件，可有效提高材料利用率，降低成本并提高生產(chǎn)效率。但目前，該技術(shù)還存在一系列問題有待解決。其核心問題是噴墨打印設(shè)備對墨水的要求較高，包括墨水化學(xué)成分、物理性能、配置方法、打印前后處理方法等，這給墨水配制帶來巨大的挑戰(zhàn)。目前的量子點(diǎn)墨水經(jīng)噴墨打印制備的量子點(diǎn)發(fā)光層載流子注入不平衡，進(jìn)而影響器件性能。此外，墨水對QLED器件的其他結(jié)構(gòu)是否造成物理或化學(xué)性質(zhì)的改變和損毀也不容忽視。

發(fā)明內(nèi)容

墨水及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有發(fā)光二極管器件中載流子注入不平衡，從而影響器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性的問題的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明一方面提供一種墨水，以所述磁性性載流子傳輸材料墨水的總重量為100％計(jì)，包括如下重量百分含量的下列組分：

磁性載流子傳輸材料 0.01-30.0％；

有機(jī)溶劑 70-99.9％；

所述磁性載流子傳輸材料為核殼結(jié)構(gòu)的磁性載流子傳輸材料，其中，所述核殼結(jié)構(gòu)的內(nèi)核為磁性納米顆粒，外殼為載流子傳輸材料。

本發(fā)明的另一方面提供一種墨水的制備方法，包括以下步驟：

按照上述墨水的配方提供各組分；

將所述磁性載流子傳輸材料分散于所述有機(jī)溶劑中，或?qū)⒋判暂d流子傳輸材料和表面活性劑分散于有機(jī)溶劑中，得到墨水。

本發(fā)明的再一方面提供一種薄膜的制備方法，包括以下步驟：

按照上述方法制備墨水；

在載體上噴墨打印沉積墨水，經(jīng)過干燥處理，得到磁性載流子薄膜。