[發明專利]氮化碳薄膜場效應晶體管

有效

• 申請號: 201810236465.5
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108511530B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 王心晨;方元行;陳惠鵬;李曉春
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/24
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊;李翠娥

1.氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：自下而上包括：柵極，介質層，氮化碳溝道層，以及分布于氮化碳溝道層上兩側的源極和漏極；其中介質層將柵極和氮化碳溝道層完全隔開；柵極與介質層一起構成了晶體管的襯底；

氮化碳的前驅體包括三聚氰胺，三聚硫氰酸，尿素，硫脲，氨基硫脲，硫氰酸氨，草酰氨，甲基胍胺，二聚氰胺中的一種或幾種；在氮化碳的前驅體中引入具有給電子或吸電子能力的單體化合物來改變氮化碳的半導體特性，所述的具有給電子或吸電子能力的單體化合物包括苯環、吡啶、噻吩、二氨基馬來腈中的一種；具有給電子或吸電子能力的單體化合物的加入量為氮化碳的前驅體的0.01 wt%-10 wt%。

2.如權利要求1所述的氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：所述氮化碳溝道層的制備方法為：將氮化碳的前驅體裝入耐高溫反應器中，將襯底置于反應器出口，介質層面朝出口；通過氣相升華原位聚合法，在襯底上沉積氮化碳薄膜。

3.如權利要求1所述的氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：所述的介質層的厚度≤100納米。

4.如權利要求1所述的氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：所述的介質層材料包括SiO₂、SiN、Al₂O₃中的一種或多種。

5.如權利要求1所述的氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：所述源極與所述氮化碳溝道層形成歐姆接觸。

6.如權利要求1所述的氮化碳薄膜場效應晶體管，其特征在于：所述漏極與所述氮化碳溝道層形成歐姆接觸。