[發(fā)明專利]一種波導、解復(fù)用器及波導的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810236461.7
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108387972B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周大海
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢永鼎光電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10;G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136
• 代理公司: 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 陳沖

本發(fā)明公開了一種波導、解復(fù)用器及波導的制作方法。其中，波導包括：襯底、上包層、下包層、波導芯層及聚合物；所述下包層在所述襯底的上方；所述波導芯層在所述下包層的上方；所述上包層在所述下包層和所述波導芯層的上方；在所述波導芯層中各波導芯之間的所述上包層和所述下包層處有深溝槽；所述聚合物填充在所述深溝槽中；所述聚合物的折射率小于所述上包層的折射率。在波導芯層中各波導芯之間有深溝槽，并在深溝槽中填充折射率低于上包層折射率的聚合物材料，可以阻擋或減弱相鄰?fù)ǖ篱g的光串擾，從而避免了信道間信號的干擾，進而提高了接收端信號的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種波導、解復(fù)用器及波導的制作方法。

背景技術(shù)

隨著40/100吉比特以太網(wǎng)(GbE)光接口標準(IEEE802.3ba-2010)和可插拔光收發(fā)器模塊標準(CFP-MAS Rev 1.4)的完成，以及第一代40GbE/100GbE CFP產(chǎn)品逐漸進入市場，制造商逐漸將注意力轉(zhuǎn)移到40/100GbE可插拔收發(fā)器的研發(fā)和設(shè)計上。對系統(tǒng)制造商和客戶而言，模塊功耗和尺寸是提高系統(tǒng)端口密度，降低整個光端口成本的關(guān)鍵指標，因而成為研發(fā)和設(shè)計的首要目標，采用單片集成的波導方案是主流實現(xiàn)方案。

目前，將PIN-PD和TIA陣列與PLC型AWG解復(fù)用器混合集成的技術(shù)被廣泛應(yīng)用。但是，PLC型AWG解復(fù)用器的光學指標稍差，特別是光串擾大。在波分復(fù)用系統(tǒng)中，接收端解復(fù)用器輸出波導間的漏光容易引起信道間的信號串擾，即一個通道的信號會泄漏到另一個通道，從而造成接收到的信號質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明通過提供一種波導、解復(fù)用器及波導的制作方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中輸出波導間的漏光容易引起信道間的信號串擾的技術(shù)問題，實現(xiàn)了提高接收到的信號質(zhì)量的技術(shù)效果。

本發(fā)明提供了一種波導，包括：襯底、上包層、下包層、波導芯層及聚合物；所述下包層在所述襯底的上方；所述波導芯層在所述下包層的上方；所述上包層在所述下包層和所述波導芯層的上方；在所述波導芯層中各波導芯之間的所述上包層和所述下包層處有深溝槽；所述聚合物填充在所述深溝槽中；所述聚合物的折射率小于所述上包層的折射率。

進一步地，所述上包層和所述下包層的厚度均是所述波導芯層厚度的3-5倍。

本發(fā)明提供的解復(fù)用器，包括：輸入波導、輸入平板波導、陣列波導、輸出平板波導及輸出波導；其中，所述輸出波導為上述的波導；光路依次通過所述輸入波導、所述輸入平板波導、所述陣列波導、所述輸出平板波導和所述輸出波導。

本發(fā)明提供的波導的制作方法，包括：

在襯底上氧化出下包層；

在所述下包層上沉積波導芯層；

在所述波導芯層上生成波導光路；

在所述波導光路和所述下包層上沉積上包層；

在所述波導光路之間蝕刻深溝槽；

在所述深溝槽中填充聚合物，形成波導。

進一步地，所述在襯底上氧化出下包層，包括：

將硅基晶圓襯底放入加熱爐進行氧化反應(yīng)，在所述硅基晶圓襯底上氧化出二氧化硅下包層。

進一步地，所述在所述下包層上沉積波導芯層，包括：

利用硅烷、鍺烷、氧氣、一氧化氮在等離子體的狀態(tài)下在所述下包層上反應(yīng)生成所述波導芯層。

進一步地，所述在所述波導芯層上生成波導光路，包括：

在所述波導芯層上成底膜；

對所述底膜進行旋轉(zhuǎn)涂膠軟烘后，放置掩膜板，對準曝光烘培后顯影，將所述掩膜板上圖形的相反圖形復(fù)制到所述底膜上；