[發(fā)明專利]基于表面等離激元效應(yīng)的45度光纖傳感器及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810236247.1 | 申請日: | 2018-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN108279208B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 倪海彬;潘超;王婷婷;葛益嫻;常建華;劉清惓;倪波;周俊萍 | 申請(專利權(quán))人: | 南京信息工程大學(xué) |
| 主分類號: | G01N21/01 | 分類號: | G01N21/01;G01N21/552 |
| 代理公司: | 南京匯盛專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 張立榮 |
| 地址: | 210044 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 表面 離激元 效應(yīng) 45 光纖 傳感器 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種基于表面等離激元效應(yīng)和45度拋光切角光纖式傳感器及其制作方法,其主要結(jié)構(gòu)是由金屬納米孔陣列結(jié)構(gòu)粘接在45度拋光切角的光纖上形成的,該傳感器的原理是光纖中的光經(jīng)過45度拋光面折射后會耦合到金屬納米孔陣列,并在金屬陣列附近激發(fā)表面等離子體激元,并由來自光纖另一端的光譜分析儀進(jìn)行分析,隨著周圍環(huán)境折射率的變化,會引起納米孔陣列表面等離激元諧振峰的偏移,表現(xiàn)在反射光譜上就是窄帶共振峰值段的偏移,反射光譜上窄帶共振峰值和外界環(huán)境有一一對應(yīng)關(guān)系,由此可以計(jì)算得到外界的環(huán)境。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光纖式傳感器,尤其涉及一種基于表面等離激元的45度角光纖式傳感器,屬于光學(xué)測量及傳感器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
光纖是一種很好的光傳輸波導(dǎo),具有重量輕,體積小,傳輸距離長,不受電磁干擾等優(yōu)點(diǎn)。光纖傳感器以其靈敏度和精度高等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于建筑、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療、以及國防等領(lǐng)域。
表面等離激元是存在于金屬和介質(zhì)界面的一種特殊的電磁波,表面等離激元共振模式傳播的情況下,對電場和磁場有很強(qiáng)的束縛特性,在垂直于界面的方向上,場強(qiáng)隨距離的增大呈指數(shù)衰減,在沿著界面的方向上,金屬中的場強(qiáng)和電荷分布以縱波的方式傳播。等離共振時(shí),電磁場的能量限制在界面上很小的局域部分,可以用于在小結(jié)構(gòu)中傳導(dǎo)光束,隨著環(huán)境折射率或者說界面上電介質(zhì)的折射率增加,表面等離激元的共振峰會發(fā)生紅移,可以利用這種現(xiàn)象精確的測量局域的折射率的變化,作為環(huán)境傳感有很重要的作用。
納米金屬孔陣列具有良好的光學(xué)特性,即較于宏觀尺寸的物體和其他納米孔陣列,貴金屬的共振吸收峰易于出現(xiàn)紅移,而且,貴金屬納米孔陣列有強(qiáng)的散射光,使得其在紫外可見吸收光譜,暗場顯微成像,以及局域等離子體共振,表面增強(qiáng)拉曼散射光譜,生物傳感器,生物醫(yī)學(xué)成像等研究領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供一種將納米金屬孔陣列與光纖結(jié)合的傳感器。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:一種基于表面等離激元效應(yīng)的45度切角光纖式傳感器,包括PU基底和光纖,所述PU基底一側(cè)設(shè)有納米孔陣列,所述光纖一端端部設(shè)有45度切角,所述PU基底另一側(cè)粘附在光纖壁與光纖端部呈銳角一側(cè)的光纖壁上,光纖設(shè)有45度切角一端端部和PU基底設(shè)有納米孔陣列一側(cè)均涂覆有金屬層。
對上述技術(shù)方案的進(jìn)一步設(shè)計(jì)為:還包括玻璃載玻片,所述光纖粘附有PU基底一側(cè)的光纖壁為光滑平面,玻璃載玻片一側(cè)粘附在光纖該側(cè)的光纖壁上,PU基底粘附在玻璃載玻片另一側(cè)上。
所述納米孔陣列為柱形孔陣列,納米孔為盲孔。
所述納米孔的軸向與PU基底的設(shè)置方向相垂直。
所述光纖設(shè)有45度切角一端端部涂覆有銀;PU基底設(shè)有納米孔陣列一側(cè)涂覆有金。
所述PU基底設(shè)有納米孔陣列一側(cè)的側(cè)面以及納米孔底部均涂覆有金。
用于上述基于表面等離激元效應(yīng)的45度切角光纖式傳感器的制備方法,包括如下步驟:
步驟1、取一個(gè)硅片基板,使用電子束曝光技術(shù)在硅片基板上制作納米孔圖案;
步驟2、清洗步驟1中的硅片基板,并用有機(jī)硅烷溶液浸泡基板30分鐘,然后用乙醇和去離子水沖洗在基板上制備的納米孔結(jié)構(gòu);
步驟3、取3ml可UV固化的聚合物PDMS,并均勻地鋪展在硅片基板的納米孔內(nèi);
步驟4、將步驟3得到的結(jié)構(gòu)放在60°鼓風(fēng)箱中3小時(shí),將PDMS從硅片基板上剝離;
步驟5、將PU均勻涂覆在步驟4中剝離得到的PDMS柱形結(jié)構(gòu)上,并用UV光照射60秒;
步驟6、將PU從PDMS膠上分離,得到具有納米孔陣列的PU基底,然后在設(shè)有納米孔的一面沉積90納米厚的金;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京信息工程大學(xué),未經(jīng)南京信息工程大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810236247.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





