[發(fā)明專利]壓力傳感器芯片、壓力發(fā)送器以及壓力傳感器芯片的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810236040.4 | 申請日: | 2018-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN108896233B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 德田智久 | 申請(專利權(quán))人: | 阿自倍爾株式會社 |
| 主分類號: | G01L9/00 | 分類號: | G01L9/00 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖華 |
| 地址: | 日本國東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓力傳感器 芯片 壓力 發(fā)送 以及 制造 方法 | ||
1.一種壓力傳感器芯片,其檢測作為測量對象的流體的壓力,該壓力傳感器芯片的特征在于,具有:
第1層,其具有第1主面、所述第1主面的相反側(cè)的第2主面、以及在所述第1主面及所述第2主面開口的壓力導(dǎo)入路;
第2層,其具有覆蓋所述壓力導(dǎo)入路的一端的膜片、第1應(yīng)變片以及第2應(yīng)變片,所述第2層配置在所述第1層的所述第2主面上;以及
第3層,其具有第3主面和形成于所述第3主面的凹部,所述第3主面配置在所述第2層上,
所述凹部隔著所述膜片與所述壓力導(dǎo)入路面對面地形成,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述凹部形成于所述壓力導(dǎo)入路的內(nèi)側(cè),
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第1應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于所述凹部的外側(cè)的區(qū)域,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第2應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于較所述第1應(yīng)變片而言靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第1應(yīng)變片形成于所述壓力導(dǎo)入路的周緣部,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第2應(yīng)變片形成于所述凹部的周緣部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
所述第3層在所述第2層上層疊有n個(gè),其中,n為2以上的整數(shù),
從所述第2層側(cè)起第i個(gè)所述第3層的所述凹部具有比第(i-1)個(gè)所述第3層的所述凹部大的開口面積,其中,1<i≤n,
所述第2應(yīng)變片對應(yīng)于每個(gè)所述第3層而設(shè)置,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第1應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于第n個(gè)所述第3層的所述凹部的外側(cè),
從與所述第1主面垂直的方向觀察,與從所述第2層側(cè)起第n個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片在所述第2層的作為膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于所述第1應(yīng)變片的內(nèi)側(cè)而且是第(n-1)個(gè)所述第3層的所述凹部的外側(cè)的區(qū)域,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,與從所述第2層側(cè)起第j個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于與第(j+1)個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片的內(nèi)側(cè)而且是第(j-1)個(gè)所述第3層的所述凹部的外側(cè)的區(qū)域,其中,1<j<n,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,與從所述第2層側(cè)起第1個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于與第2個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片的內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,與從所述第2層側(cè)起第k個(gè)所述第3層相對應(yīng)的所述第2應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于從所述第2層側(cè)起第k個(gè)所述第3層的所述凹部的周緣部,其中,1≤k≤n,
從與所述第1主面垂直的方向觀察,所述第1應(yīng)變片在所述第2層的作為所述膜片而發(fā)揮功能的區(qū)域內(nèi)形成于所述壓力導(dǎo)入路的周緣部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
所述第3層還具有與所述凹部連通的孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
所述壓力導(dǎo)入路的周緣部的、從與所述第1主面平行的方向觀察的截面形成為圓弧狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓力傳感器芯片,其特征在于,
所述壓力導(dǎo)入路的周緣部的、從與所述第1主面平行的方向觀察的截面形成為圓弧狀。
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