[發(fā)明專利]一種智能型雙跳圈模擬斷路器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810234297.6
• 申請(qǐng)日: 2018-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN108761318B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇亮;馬凱寧;暴立勇;尹馥玫;丁福利;張志國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京四方繼保自動(dòng)化股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/327
• 分類號(hào): G01R31/327;H02H7/26
• 代理公司: 北京智繪未來專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11689
• 代理人: 張紅蓮

1.一種智能型雙跳圈模擬斷路器，其特征在于：包括單片機(jī)控制電路、跳合閘電路、跳合閘模擬量采集回路、跳合閘參數(shù)設(shè)定電路、開關(guān)電源和工作電源，以單片機(jī)控制電路作為控制核心，通過外部通信端口與上位機(jī)實(shí)現(xiàn)互聯(lián)，由上位機(jī)下發(fā)指令通過單片機(jī)控制電路控制跳合閘電路、跳合閘模擬量采集回路和跳合閘參數(shù)設(shè)定電路工作，進(jìn)而進(jìn)行精準(zhǔn)模擬，其中開關(guān)電源和工作電源為各個(gè)電路提供多種電源；

其中，所述跳合閘電路包括大功率電阻R1、大功率MOSFET開關(guān)管Q1、整流二極管VT：

大功率電阻R1一端與繼電保護(hù)設(shè)備跳合閘端口相連，另一端接大功率MOSFET開關(guān)管Q1源極，大功率MOSFET開關(guān)管Q1柵極接跳合閘參數(shù)設(shè)定電路，漏極接整流二極管VT正極，整流二極管VT負(fù)極串聯(lián)兩顆電阻R2、R3，接至同一斷路器端口繼電器隔離電路中雙觸點(diǎn)繼電器另一個(gè)常開觸點(diǎn)一端，常開觸點(diǎn)另一端接繼電保護(hù)設(shè)備跳合閘調(diào)試電壓負(fù)端；整流二極管VT負(fù)極引出采樣信號(hào)連接至跳合閘模擬量采集回路；

所述跳合閘模擬量采集回路由運(yùn)算放大器及隔離線性光電耦合元件構(gòu)成：

跳合閘電路輸出的采樣信號(hào)接至電阻R96后經(jīng)過由電阻R110與C75組成的L型濾波后接至隔離線性光電耦合元件即線性隔離光電耦合器HCPL-7840U13的第2腳，U13的3、4引腳短連接模擬地，U13的1引腳接模擬5VA；U13的第8及第5引腳分別接5V和地，U13第7引腳對(duì)地下拉電阻R116后連接至運(yùn)算放大器U15的正極輸入引腳，U13第6引腳連接至運(yùn)算放大器U15的負(fù)極輸入引腳并通過電阻R104連接至運(yùn)算放大器U15的輸出引腳，運(yùn)算放大器U15輸出引腳接至單片機(jī)控制電路中CPU模擬量輸入引腳。

2.如權(quán)利要求1所述的一種智能型雙跳圈模擬斷路器，其特征在于：所述單片機(jī)控制電路主要由單片機(jī)控制部分和周邊電路構(gòu)成，單片機(jī)控制部分具備通信功能，能夠與上位機(jī)進(jìn)行指令交換，按照上位機(jī)的指令控制其他電路，并將工作狀態(tài)上送上位機(jī)，所述周邊電路包括電源芯片、復(fù)位芯片、EEPROM存儲(chǔ)芯片、晶振、通信芯片、和總線控制芯片，以維持單片機(jī)控制部分的基本功能。

3.如權(quán)利要求1所述的一種智能型雙跳圈模擬斷路器，其特征在于：所述跳合閘參數(shù)設(shè)定電路由光電耦合元件、數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片和運(yùn)算放大器芯片構(gòu)成，通過光電耦合元件實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)傳遞，同時(shí)實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)由單片機(jī)控制電路電壓向跳合閘電路電壓的信號(hào)過渡。

4.如權(quán)利要求3所述的一種智能型雙跳圈模擬斷路器，其特征在于：所述開關(guān)電源將輸入的AC220V交流電壓變換為DC220V及DC24V兩路電源輸出，其中DC220V用于跳合閘回路電源使用，為測(cè)試回路工作電壓，DC24V為工作電壓。

5.如權(quán)利要求4所述的一種智能型雙跳圈模擬斷路器，其特征在于：所述工作電源為跳合閘電路、跳合閘模擬量采集回路、跳合閘參數(shù)設(shè)定電路、單片機(jī)控制電路提供多種電源。