[發(fā)明專利]具有絕緣溝槽的IC及相關(guān)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810234290.4 | 申請日： | 2015-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN108562842B | 公開（公告）日： | 2020-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·帕加尼;G·吉蘭多;F·G·齊格利奧利;A·菲諾基亞洛 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;H01L21/66;H01L21/762;H01L23/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 絕緣 溝槽 ic 相關(guān) 方法 | ||
1.一種集成電路，包括：
半導(dǎo)體襯底，包括頂表面和相對的底表面，所述半導(dǎo)體襯底包括形成在所述頂表面處的電路系統(tǒng)；
介電層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方；
天線，設(shè)置在所述介電層中，所述天線被耦合到所述電路系統(tǒng)；
密封環(huán)，包括設(shè)置在所述介電層的外圍周圍的導(dǎo)電材料，所述密封環(huán)在所述天線和所述電路系統(tǒng)的周圍被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方的所述介電層中；以及
至少一個(gè)電絕緣溝槽，所述至少一個(gè)電絕緣溝槽豎直地延伸到所述半導(dǎo)體襯底中并且從所述集成電路的相鄰的一側(cè)向所述集成電路的相鄰的另一側(cè)橫向地延伸跨過所述集成電路，其中所述電路系統(tǒng)和所述天線被集成在所述半導(dǎo)體襯底上以形成所述集成電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽從所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)邊緣向另一側(cè)邊緣橫向地延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述電路系統(tǒng)包括收發(fā)器電路以及耦合到所述收發(fā)器電路的壓力傳感器電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽包括多個(gè)電絕緣溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽包括多個(gè)交叉的電絕緣溝槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽從所述半導(dǎo)體襯底的所述頂表面豎直地延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽從所述半導(dǎo)體襯底的所述底表面豎直地延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)電絕緣溝槽具有錐形側(cè)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述密封環(huán)包括連續(xù)的電傳導(dǎo)環(huán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述密封環(huán)包括非連續(xù)的電傳導(dǎo)環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括在介電層之上的鈍化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述天線被設(shè)置在所述電路系統(tǒng)之上，并且設(shè)置在中心區(qū)域周圍，并且其中所述溝槽被設(shè)置在所述中心區(qū)域的下方。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述天線被設(shè)置在所述電路系統(tǒng)之上，并且其中所述電絕緣溝槽是設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中的所述天線之下的溝槽的絕緣柵格的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述天線比所述半導(dǎo)體襯底具有更小的占位面積，并且與所述半導(dǎo)體襯底完全重疊。
15.一種半導(dǎo)體芯片，包括：
半導(dǎo)體襯底，包括頂表面和相對的底表面；
電路系統(tǒng)，設(shè)置在所述頂表面處；
互連層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底之上；
天線，設(shè)置在所述互連層中，所述天線被耦合到所述電路系統(tǒng)；
密封環(huán)，設(shè)置在所述互連層的外圍周圍；以及
多個(gè)溝槽段，所述多個(gè)溝槽段豎直地延伸到所述半導(dǎo)體襯底中，所述多個(gè)溝槽段以圖案布置，其中所述多個(gè)溝槽段中的沿第一方向取向的第一溝槽段與所述半導(dǎo)體芯片的第一側(cè)邊緣相交，并且所述多個(gè)溝槽段中的沿第二方向取向的第二溝槽段與第二側(cè)邊緣相交，所述第二側(cè)邊緣不同于所述第一側(cè)邊緣，所述第一方向不同于所述第二方向，所述多個(gè)溝槽段中的所述第一溝槽段和所述第二溝槽段在所述半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部區(qū)域中彼此相交。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述多個(gè)溝槽段中的每一個(gè)包括L形溝槽、T形溝槽或者十字形溝槽。
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