[發明專利]半導體設備及其檢測設備和制造方法

有效

• 申請號: 201810233776.6
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108666228B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 武藤優
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體設備的制造方法，所述制造方法包括以下步驟：

(a)將半導體設備插入測試插口，其中，所述半導體設備包括配線基板，所述配線基板設置有多個作為外部端子的球電極；以及

(b)使設置在所述插口中的多個第一端子與所述多個球電極分別接觸，使設置在所述插口中的第二端子與所述多個球電極中的第一球電極接觸，以及檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的導電狀態，

其中，在步驟(b)中，通過使所述第二端子從不同于所述第一端子與所述第一球電極的接觸方向的方向與所述第一球電極接觸，測量所述第一端子與所述第二端子之間的電阻值，通過測量所述電阻值檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的連接故障。

2.根據權利要求1所述的半導體設備的制造方法，

其中，在步驟(b)中，使所述第二端子從沿著所述配線基板的設有所述球電極的表面的方向與所述第一球電極接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體設備的制造方法，

其中，在步驟(b)中，使所述第二端子在比所述第一端子與所述第一球電極接觸的位置更靠近所述配線基板的位置與所述第一球電極接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體設備的制造方法，

其中，所述第二端子為法蘭型端子，其具有多個突出部，在平面視圖中，所述突出部延伸至設置有所述插口的第一端子的孔部，以及

其中，在步驟(b)中，使所述法蘭型端子的突出部與所述第一球電極接觸。

5.根據權利要求4所述的半導體設備的制造方法，

其中，在步驟(b)中，使所述法蘭型端子的突出部在比所述第一端子與所述第一球電極接觸的位置更靠近所述配線基板的位置與所述第一球電極接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體設備的制造方法，

其中，所述配線基板包括安裝有半導體芯片的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且還包括檢測端子，所述檢測端子設置在所述第二表面上與所述第一球電極相鄰且電連接，在所述檢測端子上未安裝球電極；以及

其中，在步驟(b)中，通過使設置在所述插口中的第三端子與所述檢測端子接觸，測量所述第一端子與所述第三端子之間的電阻值，通過測量所述電阻值檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的連接故障。

7.根據權利要求6所述的半導體設備的制造方法，

其中，在所述半導體設備中，所述檢測端子被絕緣膜覆蓋，以及

其中，在步驟(b)中，將所述第三端子插入所述絕緣膜中并與所述檢測端子接觸。

8.根據權利要求1所述的半導體設備的制造方法，

其中，在步驟(b)之后，將所述半導體設備插入所述插口中，并通過使所述第一端子至少與所述第一球電極接觸以執行所述半導體設備的缺陷/無缺陷的確定測試。

9.一種半導體設備的檢測設備，所述檢測設備包括：

測試板，其具有插口，該插口容納半導體設備，所述半導體設備包括設置有多個作為外部端子的球電極的配線基板，所述插口包括與所述多個球電極分別對應布置的多個第一端子以及能夠與所述多個球電極中的第一球電極接觸的第二端子；以及

測量儀，其與所述測試板電連接，并通過所述第一端子和所述球電極向所述半導體設備發送檢測信號；

其中，在所述半導體設備插入所述插口的狀態下，通過使所述第一端子與所述多個球電極分別接觸并且使所述第二端子從不同于所述第一端子與所述第一球電極的接觸方向的方向與所述第一球電極接觸，以測量所述第一端子與所述第二端子之間的電阻值，通過測量所述電阻值檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的連接故障。

10.根據權利要求9所述的半導體設備的檢測設備，

其中，所述第二端子為法蘭型端子，其具有多個突出部，在平面視圖中，所述突出部延伸至設置有所述插口的第一端子的孔部，以及

其中，通過使所述法蘭型端子的突出部與所述第一球電極接觸來檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的連接故障。

11.根據權利要求9所述的半導體設備的檢測設備，

其中，所述配線基板包括安裝有半導體芯片的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且還包括檢測端子，所述檢測端子設置在所述第二表面上與所述第一球電極相鄰且電連接，在所述檢測端子上未安裝球電極；以及

其中，通過使設置在所述插口中的第三端子與所述檢測端子接觸并通過所述測量儀測量所述第一端子與所述第三端子之間的電阻值，以檢測所述第一端子與所述第一球電極之間的連接故障。