[發明專利]LED燈絲結構及基于其的LED照明燈

有效

• 申請號: 201810233531.3
• 申請日: 2018-03-21
• 公開（公告）號: CN108561764B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 時軍朋;林振端;徐宸科;張平
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: F21K9/20
• 分類號: F21K9/20;F21K9/64;F21V9/30;F21V9/40;F21V19/00;H01L25/075;H01L33/50;F21Y115/10
• 代理公司: 11479 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 馮華<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種LED燈絲結構，其特征在于，所述LED燈絲結構包括：

基板；

LED芯片組件，設置于所述基板上，所述LED芯片組件包括至少一個第一LED芯片及至少一個第二LED芯片，且相鄰的LED芯片之間具有間距；

熒光材料層，設置于所述基板上，且所述熒光材料層將各所述LED芯片的除了與所述基板接觸的一面外的其他各面全部包覆；以及

濾光材料層，所述濾光材料層覆蓋于所述第一LED芯片及所述第二LED芯片中任意一者的表面，且包覆所述LED芯片除了與基板接觸的面之外的其他表面，所述LED燈絲結構剛點亮時，所述濾光材料層不透光，使得未覆蓋所述濾光材料層的LED芯片發出的光激發所述熒光材料層發出第一色溫的光；所述LED燈絲結構點亮后的預設時間內，所述濾光材料層逐漸變為透明，使得所述第一LED芯片及所述第二LED芯片發出的光均可激發所述熒光材料層發出第二色溫的光，其中，所述第二色溫與所述第一色溫不同。

2.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述第一LED芯片的發光波長介于440nm～460nm之間，所述第二LED芯片的發光波長介于470nm～550nm之間，所述濾光材料層覆蓋于所述第一LED芯片的表面，所述LED燈絲結構剛點亮時，所述第二LED芯片激發所述熒光材料層發光，所述LED燈絲結構點亮所述預設時間后，所述第一LED芯片及所述第二LED芯片均激發所述熒光材料層發光，所述第二色溫高于所述第一色溫。

3.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述第一LED芯片的發光波長介于440nm～460nm之間，所述第二LED芯片的發光波長介于470nm～550nm之間，所述濾光材料層覆蓋于所述第二LED芯片的表面，所述LED燈絲結構剛點亮時，所述第一LED芯片激發所述熒光材料層發光，所述LED燈絲結構點亮所述預設時間后，所述第一LED芯片及所述第二LED芯片均激發所述熒光材料層發光，所述第二色溫低于所述第一色溫。

4.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述第一LED芯片的發光波長介于380nm～430nm之間，所述第二LED芯片的發光波長介于440nm～460nm之間，所述濾光材料層覆蓋于所述第一LED芯片的表面，所述LED燈絲結構剛點亮時，所述第二LED芯片激發所述熒光材料層發光，所述LED燈絲結構點亮所述預設時間后，所述第一LED芯片及所述第二LED芯片均激發所述熒光材料層發光，所述第二色溫低于所述第一色溫。

5.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述第一LED芯片的發光波長介于380nm～430nm之間，所述第二LED芯片的發光波長介于440nm～460nm之間，所述濾光材料層覆蓋于所述第二LED芯片的表面，所述LED燈絲結構剛點亮時，所述第一LED芯片激發所述熒光材料層發光，所述LED燈絲結構點亮所述預設時間后，所述第一LED芯片及所述第二LED芯片均激發所述熒光材料層發光，所述第二色溫高于所述第一色溫。

6.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述LED燈絲結構達到所述第二色溫的發光狀態時，所述濾光材料層的透射率隨施加到所述LED燈絲結構上的電流的增大而變高；所述預設時間隨施加到所述LED燈絲結構上的電流的增大而變短。

7.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述第一LED芯片及所述第二LED芯片均設置于所述基板的同一側，且所述第一LED芯片與所述第二LED芯片呈交替等間距排布。

8.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述熒光材料層包括膠層及熒光粉，所述膠層的材料包括硅膠及環氧樹脂中至少一種，所述熒光粉至少包括紅粉和綠粉。

9.根據權利要求1所述的LED燈絲結構，其特征在于，所述濾光材料層包括光致變化材料層及熱致變化材料層中的任意一種。