[發明專利]OLED器件的制作方法

有效

• 申請號: 201810232021.4
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN108417738B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 邴一飛
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在襯底基板(10)上形成相間隔的陽極層(21)和陰極接觸層(30)；

步驟S2、在襯底基板(10)、陽極層(21)及陰極接觸層(30)上形成像素定義層(40)，所述像素定義層(40)在所述陽極層(21)上圍出像素開口(41)并在所述陰極接觸層(30)上方對應設有陰極接觸孔(45)；

步驟S3、在所述陽極層(21)上由下至上依次形成空穴注入層(24)、空穴傳輸層(25)、發光層(26)及電子傳輸層(27)，所述電子傳輸層(27)從所述像素開口(41)內延伸到陰極接觸孔(45)內并與所述陰極接觸層(30)相接觸；

步驟S4、在所述電子傳輸層(27)上形成陰極層(23)，所述陰極層(23)覆蓋陰極接觸層(30)，所述電子傳輸層(27)將陰極層(23)與陰極接觸層(30)間隔開；

步驟S5、對所述陽極層(21)和陰極層(23)施加相等電勢的電壓，同時對陰極接觸層(30)施加電勢小于陰極層(23)電勢的電壓，使陰極接觸層(30)和陰極層(23)之間形成電勢差，所述電子傳輸層(27)在電場的作用下被擊穿而導電，從而使所述陰極層(23)和陰極接觸層(30)電導通；

所述步驟S3中，所述電子傳輸層(27)由蒸鍍材料通過蒸鍍法制作形成。

2.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，所述陰極接觸層(30)和陰極層(23)之間形成的電勢差為10V-30V。

3.如權利要求2所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，保持所述陰極接觸層(30)和陰極層(23)存在電勢差的狀態5分鐘-30分鐘。

4.如權利要求2所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中，對所述陽極層(21)和陰極層(23)施加的電壓為10V-30V，對所述陰極接觸層(30)施加的電壓為-20V-20V。

5.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述空穴注入層(24)、空穴傳輸層(25)及發光層(26)分別采用蒸鍍法或噴墨打印法制作形成。

6.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述陽極層(21)和陰極接觸層(30)的材料為親水性的導電材料，所述像素定義層(40)的材料為疏水性材料。

7.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述空穴注入層(24)、空穴傳輸層(25)及發光層(26)形成于所述像素開口(41)內。

8.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述陰極接觸層(30)通過像素定義層(40)同時與陽極層(21)、空穴注入層(24)、空穴傳輸層(25)、發光層(26)分離。

9.如權利要求1所述的OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述陽極層(21)和陰極接觸層(30)之間相隔10μm-20μm。