[發(fā)明專利]刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810231889.2
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN108615681B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 張彪;邵克堅;曾明鑫;李元凱;程強;樂陶然
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李洋;張穎玲

1.一種刻蝕方法，包括：

步驟a,在襯底上形成依次堆疊的材料層、犧牲層和硬掩模層；

步驟b,以光刻膠圖形為掩模，刻蝕硬掩模層形成硬掩模圖形；

步驟c，刻蝕部分犧牲層，剩余的犧牲層具有水平部分，以及在水平部分上的垂直部分；

步驟d，停止通入化學性刻蝕氣體，主要通過物理性工藝分解硬掩模圖形，在犧牲層的垂直部分的側壁上形成保護層，其中工作氣體包括惰性氣體或其氟化物以及氧化性氣體；

步驟e，重復步驟c和步驟d，直至暴露材料層，留下垂直的犧牲層圖形。

2.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，硬掩模層為單層或多層結構。

3.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，硬掩模層包含抗反射層。

4.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，硬掩模層包括至少一個第一層和至少一個第二層，其中第二層的硬度大于第一層。

5.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，步驟b和/或步驟c的刻蝕為各向異性干法刻蝕。

6.如權利要求5所述的刻蝕方法，其中，刻蝕氣體選自SF₆、NF₃、COS、Cl₂、HBr、CF₄、CHF₃。

7.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，步驟d的分解包括等離子體轟擊。

8.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，犧牲層的材料選自BSG、PSG、BPSG、SOG、多孔材料、SOC。

9.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，步驟e之后進一步包括，在犧牲層圖形兩側形成側墻圖形，以側墻圖形為掩模刻蝕材料層形成所需的精細線條。

10.如權利要求9所述的刻蝕方法，其中，側墻圖形的材料的硬度大于犧牲層圖形的材料的硬度。

11.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，第一次執(zhí)行步驟c時，犧牲層垂直部分的厚度大于等于犧牲層原始厚度的1/2。

12.如權利要求1所述的刻蝕方法，其中，材料層的材質選自導體、半導體、絕緣體。