[發明專利]一種太陽能級硅片及其生產方法有效
| 申請號： | 201810231704.8 | 申請日： | 2018-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN108357002B | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發明（設計）人： | 劉坤;曾磊;張良恒;張鵬飛;張健 | 申請（專利權）人： | 山東大海新能源發展有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/04 | 分類號： | B28D5/04;B28D5/00 |
| 代理公司： | 濟南千慧專利事務所(普通合伙企業) 37232 | 代理人： | 王寬 |
| 地址： | 257300 山東省東營市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 硅片 及其 生產 方法 | ||
1.一種太陽能級硅片，其特征在于，所述太陽能級硅片的至少一個表面上設有多個溝槽(1)；位于同一表面上的多個所述溝槽(1)之間相互平行，所述太陽能級硅片的上表面(2)和下表面(3)之間相互平行；
其中，每個所述溝槽(1)的形狀為直線型、或曲線型；所述溝槽(1)的切面形狀為弧形，弧形的弦長為0.1~0.4mm；
和/或，每個所述溝槽(1)的最大深度小于15，
和/或，相鄰兩個所述溝槽(1)相鄰邊緣之間的距離為0.1—0.8mm；
所述太陽能級硅片的技術參數為：
形狀為方形，邊長為156.75±0.25mm，厚度為200±20，單個微晶小于3×3mm2，整個微晶區域小于3×3cm2；
氧含量≤8.0×1017atoms/cm3，碳含量≤6.0×10 17atoms/cm3，電阻率1～3Ω·cm，少子壽命≥1.0。
2.如權利要求1所述的太陽能級硅片，其特征在于，所述溝槽(1)設于所述太陽能級硅片的上表面(2)和下表面(3)。
3.如權利要求1－2中任一所述的太陽能級硅片，其特征在于，所述太陽能級硅片為矩形，所述矩形的四個角處設倒角(4)，
所述倒角(4)為直線倒角或圓弧倒角；
所述直線倒角的度數為30°－45°，尺寸為0.5－2mm。
4.一種太陽能級硅片的生產方法，包括如下步驟：使用金屬絲對硅料進行切割，獲得權利要求1－3中任一所述的太陽能級硅片；
其中，所述切割時，所述金屬絲進行往返切割，回線率為70－97％。
5.如權利要求4所述的生產方法，其特征在于：所述金屬絲為金剛線，
所述金剛線外徑為65－75，
所述金剛線的金剛石顆粒粒徑為6－10。
6.如權利要求4或5所述的生產方法，其特征在于：所述切割的線速為1000－1400m/min。
7.如權利要求4或5所述的生產方法，其特征在于：所述金屬絲的張力為8－14牛頓；切割冷卻液的溫度為20－30℃；冷卻水流量為100－150L/min。
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