[發明專利]圖形化襯底、外延片及其制作方法有效
| 申請號: | 201810230791.5 | 申請日: | 2018-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN108550673B | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發明(設計)人: | 王群;郭炳磊;葛永暉;董彬忠;李鵬;王江波 | 申請(專利權)人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/22 | 分類號: | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司: | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 錐狀凸起 圖形化 外延片 襯底 半導體技術領域 外延層邊緣 陣列狀分布 發光波長 厚度差異 實驗對比 生長 均勻性 量子阱 外延層 翹曲 制作 發現 | ||
1.一種圖形化襯底,所述圖形化襯底的圖形包括呈陣列狀分布的多個錐狀凸起,其特征在于,所述多個錐狀凸起包括位于所述圖形化襯底的中部的多個第一錐狀凸起和位于所述圖形化襯底的邊緣的多個第二錐狀凸起,所述多個第二錐狀凸起圍繞所述多個第一錐狀凸起布置,所述第一錐狀凸起和所述第二錐狀凸起的形狀不同,所述第一錐狀凸起呈圓錐狀,所述第二錐狀凸起呈圓臺狀,所述第二錐狀凸起的頂面上形成有多個圓錐凸起,或者所述第二錐狀凸起的頂面為弧狀凸面。
2.根據權利要求1所述的圖形化襯底,其特征在于,所述第一錐狀凸起和所述第二錐狀凸起的底面直徑為0.2um~1.0um。
3.根據權利要求1所述的圖形化襯底,其特征在于,所述第一錐狀凸起和所述第二錐狀凸起的高度為0.1um~0.5um。
4.根據權利要求1所述的圖形化襯底,其特征在于,沿從所述圖形化襯底的中部向邊緣延伸的任意方向上,所述第二錐狀凸起的數量為1~300個。
5.一種發光二極管的外延片,其特征在于,所述外延片包括如權利要求1~4任一項所述圖形化襯底和形成在所述圖形化襯底上的外延層。
6.一種圖形化襯底的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在藍寶石襯底表面形成掩膜層;
對所述掩膜層進行圖形化處理,以形成掩膜圖形;
利用所述掩膜圖形對所述藍寶石襯底進行刻蝕,以形成圖形化襯底,所述圖形化襯底的圖形包括呈陣列狀分布的多個錐狀凸起,所述多個錐狀凸起包括位于所述圖形化襯底的中部的多個第一錐狀凸起和位于所述圖形化襯底的邊緣的多個第二錐狀凸起,所述第一錐狀凸起和所述第二錐狀凸起的形狀不同,所述第一錐狀凸起呈圓錐狀,所述第二錐狀凸起呈圓臺狀,所述第二錐狀凸起的頂面上形成有多個圓錐凸起,或者所述第二錐狀凸起的頂面為弧狀凸面。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述掩膜層為光刻膠或SiO2。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,利用所述掩膜圖形對所述藍寶石襯底進行刻蝕時,刻蝕溶液為硫酸和磷酸的混合溶液。
9.一種發光二極管的外延片的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一圖形化襯底;
在所述圖形化襯底上生長外延層,
其中,所述圖形化襯底的圖形包括呈陣列狀分布的多個錐狀凸起,所述多個錐狀凸起包括位于所述圖形化襯底的中部的多個第一錐狀凸起和位于所述圖形化襯底的邊緣的多個第二錐狀凸起,所述多個第二錐狀凸起圍繞所述多個第一錐狀凸起布置,所述第一錐狀凸起和所述第二錐狀凸起的形狀不同,所述第一錐狀凸起呈圓錐狀,所述第二錐狀凸起呈圓臺狀,所述第二錐狀凸起的頂面上形成有多個圓錐凸起,或者所述第二錐狀凸起的頂面為弧狀凸面。
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