[發明專利]分體式太陽能電池及太陽能陣列電池

在審

• 申請號: 201810230647.1
• 申請日: 2018-03-20
• 公開（公告）號: CN108336165A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 楊益文;楊向峰;楊佳珍
• 申請（專利權）人: 楊益文
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/043;H01L31/05
• 代理公司: 溫州名創知識產權代理有限公司 33258
• 代理人: 陳加利

本發明涉及一種分體式太陽能電池，包括相互分體設置的P板和N板，P板包括基板及固定設置于基板的P型半導體光伏板，所述P型半導體光伏板由一個或多個呈矩陣分布的P型半導體及與各P型半導體電連接的第一電極，所述的基板的外側面為受光面；N板包括基板及固定設置于基板的N型半導體光伏板，所述N型半導體光伏板由一個或多個呈矩陣分布的N型半導體及與各N型半導體電連接的第一電極，所述的基板的外側面為受光面；P板與N板的第一電極相互電連接，構成P型半導體光伏板與N型半導體光伏板的電連接。采用上述方案，本發明提供一種降低加工難度、提高受光面積進而增加光電轉換率的分體式太陽能電池。

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池，具體涉及一種PN極分離式太陽能電池，還涉及一種太陽能陣列電池。

背景技術

太陽能電池使利用光電轉換原理使太陽輻射的光通過半導體物質轉變為電能的器件，這種光電轉換過程通常叫做“光生伏打效應”。

現有的太陽能電池由P型半導體和N型半導體結合而成，該P型半導體由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素形成，在半導體內部形成帶正電的空穴，該N型半導體由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素形成，在半導體內部形成帶負電的自由電子，在陽光照射下，P型半導體和N型半導體內的空穴及自由電子相互移動形成電流，在該種工藝下的太陽能電池，需要在同一塊半導體上經摻雜后形成類似P型半導體的P區和類似N型半導體的N區，且兩者互不影響，就大大提高了摻雜工藝的要求；其次，P區由于作為太陽能電池的背面，其時刻處于陰處，并不會受到陽光照射，造成了P區的半導體無法受光的浪費。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本發明的目的在于提供一種降低加工難度、提高受光面積進而增加光電轉換率的分體式太陽能電池。

為實現上述目的，本發明提供了如下技術方案：包括相互分體設置的P板和N板，

所述P板包括基板及固定設置于基板的P型半導體光伏板，所述P型半導體光伏板由一個或多個呈矩陣分布的P型半導體及與各P型半導體電連接的第一電極，所述的基板的外側面為受光面；

所述N板包括基板及固定設置于基板的N型半導體光伏板，所述N型半導體光伏板由一個或多個呈矩陣分布的N型半導體及與各N型半導體電連接的第一電極，所述的基板的外側面為受光面；

所述P板與N板的第一電極相互電連接，構成P型半導體光伏板與N型半導體光伏板的電連接。

通過采用上述技術方案，將太陽能電池的P型半導體和N型半導體進行分體設置，使兩者可獨立進行加工，降低對摻雜工藝的要求，提高加工效率，其次，增加單一太陽能電池的受光面積，P型半導體和N型半導體均能同時受光，提高空穴電子組的數量，進而增加光電轉換率，P型半導體光伏板及N型半導體光伏板為具有將利用光電轉換原理通過太陽輻射的光在半導體物質形成空穴電子組的光伏器件。

本發明進一步設置為：所述的P板與N板的第一電極之間設置有將兩者電連接的PN電連接件。

通過采用上述技術方案，增設PN電連接件，使P板與N板之間的分體結構更加多樣，可按需進行調整設計。

本發明進一步設置為：所述的PN電連接件為鍍銀導線或鍍錫導線。

通過采用上述技術方案，PN電連接件可為各種材質的導線，可根據需求進行配合使用。

本發明進一步設置為：所述的PN電連接件為匯流帶。

通過采用上述技術方案，匯流帶具有較好的使用壽命及使用性能，適合用于連接N型半導體光伏板及P型半導體光伏板。

本發明進一步設置為：所述的P板設置有與各P型半導體電連接并用于輸出電能的第二電極，所述的N板設置有與各N型半導體電連接并用于輸出電能的第二電極。