[發明專利]一種薄膜殘留應力測試結構及其制作方法有效

申請號：	201810230441.9	申請日：	2018-03-20
公開（公告）號：	CN108447850B	公開（公告）日：	2020-05-15
發明（設計）人：	康曉旭	申請（專利權）人：	上海集成電路研發中心有限公司
主分類號：	H01L23/544	分類號：	H01L23/544;H01L21/66
代理公司：	上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275	代理人：	吳世華;尹一凡
地址：	201210 上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種薄膜殘留應力測試結構及其制作方法
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【說明書】：

本發明公開了一種薄膜殘留應力測試結構，包括：并列設于襯底上的兩個第一支撐柱；懸空設于兩個第一支撐柱之間的一個第一環形指針結構；兩段第一被測薄膜，分別懸空設于第一環形圈兩側，每個第一被測薄膜的一端連接在對應側的第一支撐柱上，另一端連接在對應側的第一環形圈上；如第一被測薄膜因殘留應力較大而發生翹曲時，會拉動其連接的第一環形指針結構，使之變形，并引起第一環形指針結構發生平移，因而會在第一環形指針結構上設置的位移測量結構上引起量化的變化，從而可以對第一被測薄膜的殘留應力進行量化評估。本發明還公開了一種薄膜殘留應力測試結構的制作方法。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造技術領域，更具體地，涉及一種薄膜殘留應力測試結構及其制作方法。

背景技術

薄膜殘留應力的存在在CMOS以及MEMS工藝中有著非常大的副作用，如不加以控制的話，就會造成硅片嚴重翹曲和碎片的風險。而對薄膜殘留應力的控制，首先就是要測試和監控薄膜的殘留應力。這時，就需要采用適當的薄膜殘留應力測試結構。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種薄膜殘留應力測試結構及其制作方法。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種薄膜殘留應力測試結構，所述測試結構建立在襯底上，至少包括：

并列設于襯底上的兩個第一支撐柱；

懸空設于兩個第一支撐柱之間的一個第一環形指針結構，所述第一環形指針結構包括一個水平的第一環形圈及一個一端連接第一環形圈且垂直于兩個第一支撐柱連線設置的水平第一懸臂，所述第一懸臂上具有位移測量結構；

兩段第一被測薄膜，分別懸空設于第一環形圈兩側，每個所述第一被測薄膜的一端連接在對應側的第一支撐柱上，另一端連接在對應側的第一環形圈上。

優選地，所述位移測量結構包括設于第一懸臂上的刻度標記，以及對應設于第一懸臂外部標桿上的原點標記；或者，所述位移測量結構包括設于第一懸臂上的原點標記，以及對應設于第一懸臂外部標桿上的刻度標記。