[發明專利]發光二極管的檢測方法有效
| 申請號: | 201810228404.4 | 申請日: | 2018-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN108428638B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發明(設計)人: | 王澄光 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 檢測 方法 | ||
本發明公開一種發光二極管的檢測方法,其包括將多個發光二極管粘著于具有黏性的光離型層。接著,輸入電能至這些發光二極管,以使多個正常發光二極管個別發出光線,其能弱化光離型層粘著于各個正常發光二極管的粘性。在輸入電能至這些發光二極管之后,移除光離型層與附著于光離型層的發光二極管,以保留未附著于光離型層的這些正常發光二極管。
技術領域
本發明涉及一種光源的檢測方法,且特別是涉及一種發光二極管的檢測方法。
背景技術
目前的固態發光技術(Solid-State Lighting,SSL)已發展出一種小尺寸的微型發光二極管(Micro Light Emitting Diode,μLED),其寬度與長度可控制在10微米(μm)以下。這種微型發光二極管具有相當小的尺寸,因而不僅可以應用于照明技術,而且也適合用來制作顯示面板的像素(pixel)。
一般而言,顯示面板所具有的像素的數量通常會遠超過萬顆,甚至達百萬顆以上,因此采用微型發光二極管的顯示面板也需要裝設上萬顆微型發光二極管。目前微型發光二極管的外延(epitaxy)及轉移(transfering)兩者制作工藝可以有很好的良率(yield)。然而,礙于顯示面板所需要的微型發光二極管的數量太多,縱使外延與轉移兩者制作工藝能達到至少90%的良率,顯示面板仍具有相當多的缺陷微型發光二極管需要修補。
舉例來說,有的全高清(Full High Definition,FHD)顯示面板會裝設約622萬顆微型發光二極管。假設外延制作工藝的良率可達99%,而轉移制作工藝的良率可達99.9%,則高清顯示面板會有約68420顆的缺陷微型發光二極管需要修補。倘若修補一顆微型發光二極管需要1秒的時間,則修補68420顆微型發光二極管至少需要花費18小時。由此可知,采用微型發光二極管的顯示面板需要花費相當多的時間來修補眾多的缺陷微型發光二極管,從而導致產能(production capacity)不易進一步地提升。
發明內容
本發明的目的在于提供一種發光二極管的檢測方法,其可以幫助減少需要修補的發光二極管數量。
為達上述目的,本發明至少一實施例所提供的發光二極管的檢測方法包括將多個發光二極管粘著于光離型層(light release layer),其中光離型層具有粘性(stickiness)。接著,輸入電能至這些發光二極管,以使這些發光二極管中的多個正常發光二極管個別發出光線,其中光線弱化光離型層粘著于各個正常發光二極管的粘性。在輸入電能至這些發光二極管之后,移除光離型層與附著于(attached)光離型層的這些發光二極管,以保留未附著于光離型層的這些正常發光二極管。
在本發明至少一實施例中,上述檢測方法還包括將這些發光二極管配置于一電測基板上,其中這些發光二極管位于電測基板與光離型層之間,并且電連接電測基板。接著,提供電能于電測基板,以輸入電能至這些發光二極管。
在本發明至少一實施例中,上述檢測方法還包括在移除光離型層與附著于光離型層的這些發光二極管之后,將一光固化層(light curing layer)配置于這些正常發光二極管上,其中這些正常發光二極管位于電測基板與光固化層之間。接著,提供電能于電測基板,以輸入電能至這些正常發光二極管,其中這些正常發光二極管中的至少一不合格發光二極管(unqualified LED)發出一固化光線(curing light ray)而局部固化光固化層,以使不合格發光二極管附著于光固化層。在輸入電能至這些正常發光二極管之后,移除光固化層與附著于光固化層的不合格發光二極管,以保留未附著于光固化層的多個合格發光二極管。
在本發明至少一實施例中,上述正常發光二極管的光線的波長大于不合格發光二極管的固化光線的波長。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





