[發明專利]金屬電遷移測試結構及使用該結構的金屬電遷移測試方法在審
| 申請號: | 201810228231.6 | 申請日: | 2018-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN108447797A | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 王志強;韓坤 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 鄧曄 |
| 地址: | 430205 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬線 金屬電 遷移 待測目標 測試結構 測試 串聯電路 相鄰層 電阻 跳變 通孔 串聯 | ||
1.一種金屬電遷移測試結構,其特征在于,包括:
位于相同層的至少兩條待測目標金屬線;以及
位于所述待測目標金屬線所在層的不同層、且經由通孔使所述待測目標金屬線彼此串聯連接的至少一條連接用金屬線,
在進行金屬電遷移測試時,所述連接用金屬線的長度能夠使所述待測目標金屬線和所述連接用金屬線串聯而成的串聯電路的電阻值發生跳變。
2.如權利要求1所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述金屬電遷移測試在恒定溫度和恒定電流條件下進行。
3.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述連接用金屬線位于所述待測目標金屬線的相鄰層。
4.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述連接用金屬線位于所述待測目標金屬線的上一層和/或下一層。
5.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述連接用金屬線為兩條以上。
6.如權利要求5所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述兩條以上的所述連接用金屬線中的一部分所述連接用金屬線位于所述待測目標金屬線的上一層,另一部分所述連接用金屬線位于所述待測目標金屬線的下一層。
7.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述連接用金屬線的長度小于等于100μm。
8.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述待測目標金屬線的寬度為1nm~100μm,和/或所述待測目標金屬線的長度大于等于100μm。
9.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述待測目標金屬線的材料為銅或鋁。
10.如權利要求1或2所述的金屬電遷移測試結構,其特征在于,
所述連接用金屬線的材料為銅或鋁。
11.一種金屬電遷移測試方法,其特征在于,包括:
利用與待測目標金屬線位于不同層的連接用金屬線,經由通孔將待測目標金屬線彼此串聯連接以構成串聯電路;
設置所述連接用金屬線的長度,以使得在進行金屬電遷移測試時,所述串聯電路的電阻值發生跳變;
基于測量得到的所述串聯電路的電阻值變化情況生成金屬電遷移失效時間分布。
12.如權利要求11所述的金屬電遷移測試方法,其特征在于,包括:
記錄所述電阻值發生跳變的時間;以及
基于所述電阻值發生跳變的時間生成所述金屬電遷移失效時間分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





