[發(fā)明專利]一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜及其制備方法

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• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN108342688A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉爽;田春回;孫錦濤;許峻文;張尚劍;劉永
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/26
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜，其特征在于：所述復(fù)合薄膜包括自下而上依次沉積摻鉈碘化銫薄膜層、微米級二氧化鈦層和納米級金屬鋁層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜，其特征在于：所述微米級二氧化鈦層的厚度為30～150μm；所述納米級金屬鋁層的厚度為150～250μm。

3.一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟A：將潔凈、干燥的襯底固定在蒸鍍室的工件架上，將摻鉈碘化銫粉末置于蒸鍍舟內(nèi)，然后在高真空環(huán)境下，加熱蒸鍍舟，使得摻鉈碘化銫粉末蒸發(fā)至工件架上旋轉(zhuǎn)的襯底表面形成摻鉈碘化銫薄膜；

步驟B：蒸鍍摻鉈碘化銫薄膜完成后，采用二氧化鈦顆粒作為蒸發(fā)原料，在真空環(huán)境下，加熱燈絲發(fā)出電子束，在電壓場中加速電子束以轟擊二氧化鈦，使得二氧化鈦蒸發(fā)至工件架上旋轉(zhuǎn)的摻鉈碘化銫薄膜表面形成微米級二氧化鈦膜；

步驟C：蒸鍍微米級二氧化鈦膜完成后，采用鋁材作為蒸發(fā)源，在真空環(huán)境下，加熱蒸發(fā)鋁材，使得金屬鋁蒸發(fā)至工件架上旋轉(zhuǎn)的二氧化鈦膜表面形成納米級金屬鋁層，至此完成摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述摻鉈碘化銫粉末是由CsI晶體和TlI晶體混合形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟A中加熱方式是通過對蒸發(fā)源通電流進(jìn)而加熱蒸發(fā)物質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟A中工藝參數(shù)為：真空環(huán)境的氣壓在8×10^-4～5×10^-3Pa范圍內(nèi)，襯底距離舟狀蒸發(fā)源的垂直距離為10～30厘米，旋轉(zhuǎn)蒸鍍時襯底旋轉(zhuǎn)速率為45～55轉(zhuǎn)/分鐘，蒸發(fā)電流值為90A～130A，蒸鍍時間為60～150分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟B中加熱方式具體是通過高速電子束轟擊蒸發(fā)源進(jìn)行加熱。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟B中工藝參數(shù)為：真空環(huán)境的氣壓在1×10^-4～6×10^-3Pa范圍內(nèi)，旋轉(zhuǎn)蒸鍍時襯底旋轉(zhuǎn)速率為30～50轉(zhuǎn)/分鐘，蒸發(fā)電流值為90～200mA，蒸鍍時間為60～120min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟C中加熱方式具體是通過通電流對蒸發(fā)源進(jìn)行加熱，蒸發(fā)電流值為80～150A。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種摻鉈碘化銫復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟C中工藝參數(shù)為：真空環(huán)境的氣壓在6×10^-4～8×10^-3Pa范圍內(nèi)，旋轉(zhuǎn)蒸鍍時襯底旋轉(zhuǎn)速率為45～55轉(zhuǎn)/分鐘，蒸鍍時間為10～20秒。