[發(fā)明專利]具有非易失性存儲能力的存儲結(jié)構(gòu)及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810223875.6
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN108630250B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·博蘇
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯美國公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/22;H01L27/11
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種靜態(tài)存儲單元，包括：

包括第一晶體管元件和非易失性存儲元件的第一反相器結(jié)構(gòu)，所述第一反相器結(jié)構(gòu)包括第一輸入和第一輸出；

串聯(lián)連接在所述非易失性存儲元件與參考電壓之間的第二晶體管元件；

具有第二輸入和第二輸出的第二反相器結(jié)構(gòu)，所述第二輸出連接到所述第一輸入以及所述第二輸入連接到所述第一輸出；以及

并聯(lián)連接到所述非易失性存儲元件的切換元件，以便能夠控制所述非易失性存儲元件的第一端子和第二端子的橋接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述非易失性存儲元件包括鐵電晶體管元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述第一晶體管元件為P溝道晶體管并且所述參考電壓為相對意義上的低電源電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述第一晶體管元件為N溝道晶體管并且所述參考電壓為相對意義上的高電源電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，進(jìn)一步包括連接到所述第一輸出并且被配置為將所述第一輸出暫時(shí)驅(qū)動到期望的邏輯狀態(tài)的傳輸門。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述第二反相器結(jié)構(gòu)包括第二非易失性存儲元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜態(tài)存儲單元，進(jìn)一步包括串聯(lián)連接在所述第二非易失性存儲元件與所述參考電壓之間的第三晶體管元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜態(tài)存儲單元，進(jìn)一步包括連接到所述第一輸出的第一數(shù)據(jù)輸入/輸出和連接到所述第二輸出的第二數(shù)據(jù)輸入/輸出，其中所述第一數(shù)據(jù)輸入/輸出在邏輯上與所述第二數(shù)據(jù)輸入輸出相反。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜態(tài)存儲單元，進(jìn)一步包括并聯(lián)連接到所述第二非易失性存儲元件的第二切換元件，以便能夠控制所述第二非易失性存儲元件的第一端子和第二端子的橋接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述切換元件是具有柵電極的場效應(yīng)晶體管，所述柵電極連接到相對意義上的高電源電壓和相對意義上的低電源電壓中的一者，而所述參考電壓是高電源電壓和低電源電壓中的另一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜態(tài)存儲單元，其中所述切換元件是具有連接到所述輸入的柵電極的場效應(yīng)晶體管。

12.一種一位存儲結(jié)構(gòu)，包括：

第一晶體管元件，其具有第一柵極端子、第一漏極端子和第一源極端子，所述第一源極端子連接到相對意義上的低電源電壓和相對意義上的高電源電壓中的一者；

第二晶體管元件，其具有第二柵極端子、第二漏極端子和第二源極端子，所述第二源極端子連接到低電源電壓和高電源電壓中的另一者；

至少具有第一端子和第二端子的非易失性存儲元件，所述第一端子連接到所述第一晶體管元件的所述第一漏極端子，并且所述第二端子連接到所述第二晶體管元件的所述第二漏極端子，所述第一端子和所述第一漏極端子形成輸出節(jié)點(diǎn)；以及

并聯(lián)晶體管元件，其中所述并聯(lián)晶體管元件具有連接到所述非易失性存儲元件的所述第一和第二端子中的一者的漏極端子和連接到所述非易失性存儲元件的所述第一和第二端子中的另一者的源極端子。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一位存儲結(jié)構(gòu)，其中所述非易失性存儲元件為鐵電晶體管。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一位存儲結(jié)構(gòu)，其中所述第一和第二柵極端子彼此電連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一位存儲結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括將所述輸出節(jié)點(diǎn)至少與所述第一和第二柵極端子連接的反相器結(jié)構(gòu)。