[發明專利]一種耐彎折柔性光電器件的制備方法

有效

• 申請號: 201810222512.0
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN108550698B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 談利承;陳義旺;王藝林;胡婷;肖書琴
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 36115 南昌新天下專利商標代理有限公司
• 代理人: 施秀瑾<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是包括以下步驟：

a）稱取摩爾比為1:0.01 ~ 0.02的鋅鹽和金屬鹽加入氮氣瓶中，并加入乙醇與鋅鹽摩爾比為0.30 ~ 0.40:1的乙醇；

b）將步驟a）中所得溶液加熱至75 ~ 85℃，劇烈攪拌5 ~ 15 min；

c）取乙醇胺與鋅鹽摩爾比為0.8 ~ 1.2:1的乙醇胺溶液緩緩加入步驟b）中所得反應液中，隨著乙醇胺的加入反應液由渾濁逐漸變為澄清；

d）將步驟c）得到的澄清溶液在75 ~ 85℃下回流1.85 ~ 2.15 h；得到無色透明溶液，即為所制備的金屬摻雜氧化鋅前驅體溶液；

e）將聚多巴胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙醇或硼酸加入步驟d）所得透明溶液中，最終得到無色透明液體為耐彎折及高導電性的金屬摻雜氧化鋅前驅體溶液；

f）將步驟e）中所得耐彎折及高導電性的金屬摻雜氧化鋅前驅體溶液與乙醇按照體積比1:0.8 ~ 2稀釋，備用；

g）將柔性基底氧化銦錫（ITO）用乙醇擦拭干凈，清潔表面后使用空氣等離子體處理2~4min；

h）將步驟f）所得稀釋過的耐彎折及高導電性的金屬摻雜氧化鋅前驅體溶液旋涂在步驟g）中處理過的柔性基底ITO表面，得到金屬摻雜氧化鋅薄膜厚度在80 ~ 85 nm；

i）將已經分散好的濃度為18 ~ 22 mg/mL的聚合物活性層材料PBDB-T:ITIC溶液旋涂在步驟h）中得到的金屬摻雜氧化鋅薄膜表面，厚度在80 ~ 100 nm，在手套箱氮氣氛圍下干燥30 min；

j）將步驟i）中所得樣品放入真空鍍膜機腔內，抽真空至7×10^-4 Pa以下，蒸鍍三氧化鉬（MoO₃）陽極界面層，控制器膜厚為7 ~ 10 nm隨后蒸鍍銀電極，控制膜厚為90 nm，制備得到耐彎折的柔性光電器件。

2.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟a）所述的鋅鹽和金屬鹽的摩爾比為1:0.01，乙醇與鋅鹽摩爾比為0.35:1。

3.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟a）所述鋅鹽為醋酸鋅、硫酸鋅、硝酸鋅或乙酰丙酮鋅。

4.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟a）所述金屬鹽為硝酸鋁、異丙醇鋁、醋酸鋁、硝酸鎵或硝酸銦。

5.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟c）所述的鋅鹽與乙醇胺的摩爾比為1:1。

6.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟e）所述中加入聚多巴胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙醇或硼酸的量為：鋅鹽中的鋅與聚多巴胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙醇或硼酸的質量比為1:0.015。

7.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟f）所述的金屬摻雜氧化鋅前驅體溶液與乙醇體積比為1:1。

8.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟h）中所述的旋涂條件為：轉速2000 r/min，旋涂1 min。

9.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟i）中聚合物活性層材料PBDB-T:ITIC溶液的濃度為20 mg/mL。

10.根據權利要求1所述的一種耐彎折柔性光電器件的制備方法，其特征是步驟i）中所述的旋涂條件為：轉速2500 r/min，旋涂1 min。