[發(fā)明專利]管理閃存中所儲存的數據的方法及相關記憶裝置與控制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810219451.2 | 申請日: | 2013-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN108595345B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊宗杰;甘禮升 | 申請(專利權)人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02;G06F11/10 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管理 閃存 儲存 數據 方法 相關 記憶 裝置 控制器 | ||
本發(fā)明公開了一種記憶裝置、記憶裝置的控制器和一種管理一閃存中所儲存的數據的方法,其中該閃存包含多個區(qū)塊,且該方法包含有:提供一數據表,其中該數據表記錄了該多個區(qū)塊中已被寫入數據的區(qū)塊,以及其數據寫入時間的順序;偵測該多個區(qū)塊中一第一區(qū)塊的質量以產生一第一偵測結果,其中該第一區(qū)塊為該數據表中所記錄的數據寫入時間最早的區(qū)塊;以及依據該第一偵測結果來決定是否將該第一區(qū)塊的內容搬移到一空白區(qū)塊中,并將該第一區(qū)塊的內容刪除。本發(fā)明可以避免區(qū)塊因為數據保留時間過長而造成記憶體單元的臨界電壓分布改變以及數據失真的情形。
本發(fā)明要求中華人民共和國申請?zhí)?01310318163.X(申請日2013年07月25日,標題為“管理閃存中所儲存的數據的方法及相關記憶裝置與控制器”)的優(yōu)先權,以上申請案的所有內容以引用方式納入。
技術領域
本發(fā)明涉及閃存(Flash Memory),尤指一種管理閃存中所儲存的數據的方法,及相關的記憶裝置與控制器。
背景技術
閃存可通過電子式的抹除(erase)與寫入/程序化(program)以進行數據儲存,并且廣泛地應用于記憶卡(memory card)、固態(tài)硬盤(solid-state drive)與可攜式多媒體播放器等等。由于閃存為非揮發(fā)性(non-volatile)記憶體,因此,不需要額外電力來維持閃存所儲存的信息,此外,閃存可提供快速的數據讀取與較佳的抗震能力,而這些特性也說明了閃存為何會如此普及的原因。
閃存可區(qū)分為NOR型閃存與NAND型閃存。對于NAND型閃存來說,其具有較短的抹除及寫入時間且每一記憶體單元需要較少的芯片面積,因而相較于NOR型閃存,NAND型閃存會允許較高的儲存密度以及較低的每一儲存位的成本。一般來說,閃存是以記憶體單元數組的方式來儲存數據,而記憶體單元是由一浮動柵極晶體管(floating-gate transistor)來加以實作,且每一記憶體單元可通過適當地控制浮動柵極晶體管的浮動柵極上的電荷個數來設定導通該浮動柵極晶體管所實作的該記憶體單元的所需臨界電壓,進而儲存單一個位的信息或者一個位以上的信息,如此一來,當一或多個預定控制柵極電壓施加于浮動柵極晶體管的控制柵極之上,則浮動柵極晶體管的導通狀態(tài)便會指示出浮動柵極晶體管中所儲存的一或多個二進制數(binary digit)。
然而,由于某些因素,閃存單元中原本儲存的電荷的個數可能會受到影響/擾亂,舉例來說,閃存中所存在的干擾可能來自于保持干擾(retention disturbance),且閃存單元中原本儲存的電荷的個數也有可能因為高溫而造成變化。因此,由于數據保留時間(retention time)及/或溫度影響的緣故,閃存單元中的記憶體單元的臨界電壓分布(threshold voltage distribution)便會有所改變,因此,讀取記憶體單元中所儲存的信息可能會因為改變后的臨界變壓分布而無法正確地獲得所儲存的信息。
發(fā)明內容
因此,本發(fā)明的目的之一在于公開一種管理閃存中所儲存的數據的方法,及相關的記憶裝置與控制器,其可以避免記憶體單元中所儲存的信息過度失真,以解決上述的問題。
依據本發(fā)明一實施例,公開一種管理一閃存中所儲存的數據的方法,其中該閃存包含多個區(qū)塊,該方法包含有:提供一數據表,其中該數據表記錄了該多個區(qū)塊中已被寫入數據的區(qū)塊,以及其數據寫入時間的順序;偵測該多個區(qū)塊中一第一區(qū)塊的質量以產生一第一偵測結果,其中該第一區(qū)塊為該數據表中所記錄的數據寫入時間最早的區(qū)塊;以及依據該第一偵測結果來決定是否將該第一區(qū)塊的內容搬移到一空白區(qū)塊中,并將該第一區(qū)塊的內容刪除。
依據本發(fā)明另一實施例,一種記憶裝置包含有一閃存以及一控制器,其中該閃存包含多個區(qū)塊,且該控制器包含有一記憶體以儲存一數據表,其中該數據表記錄了該多個區(qū)塊中已被寫入數據的區(qū)塊,以及其數據寫入時間的順序,該控制器偵測該多個區(qū)塊中一第一區(qū)塊的質量以產生一第一偵測結果,其中該第一區(qū)塊為該數據表中所記錄的數據寫入時間最早的區(qū)塊;以及依據該第一偵測結果來決定是否將該第一區(qū)塊的內容搬移到一空白區(qū)塊中,并將該第一區(qū)塊的內容刪除。
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