[發(fā)明專利]磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810219121.3
• 申請日: 2018-03-16
• 公開（公告）號: CN108385079A
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫奧芬光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C16/54;C23C16/455
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;劉海

1.一種磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：包括蒸發(fā)室和反應(yīng)室（1），蒸發(fā)室包括對稱設(shè)置于反應(yīng)室（1）相對兩側(cè)的磁控濺射蒸發(fā)室（2）和對稱設(shè)置于反應(yīng)室（1）另一相對兩側(cè)的原子層沉積蒸發(fā)室（3）；

所述反應(yīng)室（1）包括基板轉(zhuǎn)架（11），基板轉(zhuǎn)架（11）設(shè)置于反應(yīng)室（1）正中心位置，用于承載基板；在所述基板轉(zhuǎn)架（11）外側(cè)壁上設(shè)置有基板安裝位（15），基板安裝位（15）包括對稱設(shè)置在基板轉(zhuǎn)架（11）外側(cè)壁上的上固定槽和下固定槽，上固定槽與基板轉(zhuǎn)架固定連接，下固定槽借助基板轉(zhuǎn)架（11）上設(shè)置的安裝槽形成活動連接；所述基板轉(zhuǎn)架（11）與旋轉(zhuǎn)機構(gòu)（12）連接，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)（12）用于驅(qū)動基板轉(zhuǎn)架（11）均速轉(zhuǎn)動；所述反應(yīng)室（1）還包括與所述反應(yīng)室（1）連通的氣路，所述氣路包括靠近所述基板轉(zhuǎn)架（11）設(shè)置的第一O₂氣路（13）和/或第一N₂氣路（14），用于為薄膜結(jié)晶提供補償氣體；

所述磁控濺射蒸發(fā)室（2）固定設(shè)有靶材承載部（21），在其上承載靶材（22）；磁控濺射蒸發(fā)室（2）的側(cè)壁上設(shè)有磁控濺射陰極（23），磁控濺射陰極（23）與其對應(yīng)的電源連接；

所述原子層沉積蒸發(fā)室（3）設(shè)置有與基板轉(zhuǎn)架（11）相對、平行的氣體分配器（31），所述氣體分配器（31）包括進氣管道和配氣盤，所述配氣盤固定設(shè)置在所述進氣管道的出口；所述配氣盤包括兩個平行設(shè)置的第一配氣盤（32）和第二配氣盤（33），第一配氣盤（32）上均勻設(shè)置有多個第一出氣孔，第二配氣盤（33）上錯列設(shè)置有多個第二出氣孔。

2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述上固定槽和下固定槽都為U型槽體結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述上固定槽和下固定槽繞基板轉(zhuǎn)架（11）設(shè)置有多組。

4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述第一O₂氣路（13）和第一N₂氣路（14）上設(shè)有氣體流量控制器。

5.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述反應(yīng)室（1）還包括與所述反應(yīng)室（1）連通的真空獲取裝置（17）。

6.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述反應(yīng)室（1）還包括與所述基板轉(zhuǎn)架（11）對應(yīng)的加熱裝置（16）和/或冷卻裝置。

7.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述靶材（22）為圓柱形靶材或平面靶材。

8.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述磁控濺射陰極（23）為平面矩形陰極或平面圓形陰極。

9.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述磁控濺射蒸發(fā)室（2）還包括輔助沉積離子源（24），所述輔助沉積離子源（24）的開口朝向所述基片轉(zhuǎn)架（11）。

10.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射原子層沉積真空鍍膜系統(tǒng)，其特征是：所述磁控濺射蒸發(fā)室（2）還包括與所述磁控濺射蒸發(fā)室連通的氣路，各氣路上均設(shè)有氣體流量控制器。