[發明專利]接觸孔的形成方法及圖像傳感器

在審

• 申請號: 201810218345.2
• 申請日: 2018-03-16
• 公開（公告）號: CN108538871A
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發明（設計）人: 徐翼豐;王杰;劉家樺
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292
• 代理人: 吳靖靚

1.一種接觸孔的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上定義出邏輯區和像素區，所述邏輯區和像素區分別形成有器件結構；

在所述像素區的器件結構上形成第一絕緣層；

在所述邏輯區的器件結構上形成金屬硅化物阻擋層；

在所述金屬硅化物阻擋層上和所述第一絕緣層上形成第二絕緣層；

刻蝕像素區的第二絕緣層，以使所述像素區的第二絕緣層的表面與所述邏輯區的第二絕緣層的表面齊平；

在表面齊平的所述第二絕緣層上形成層間介質層；

刻蝕所述層間介質層、所述第二絕緣層及所述第一絕緣層至露出所述金屬硅化物阻擋層和所述像素區的器件結構，形成接觸孔。

2.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述在所述像素區的器件結構上形成第一絕緣層包括：

在所述邏輯區和像素區的器件結構上沉積第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成光刻膠層；

采用曝光工藝去除所述邏輯區的光刻膠層；

以曝光后的光刻膠層為掩模，刻蝕去除所述邏輯區的第一絕緣層。

3.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，采用自對準金屬硅化物工藝在所述邏輯區的器件結構上形成金屬硅化物阻擋層。

4.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述刻蝕像素區的第二絕緣層，以使所述像素區的第二絕緣層的表面與所述邏輯區的第二絕緣層的表面齊平包括：

在所述第二絕緣層上形成光刻膠層；

采用曝光工藝去除所述像素區的光刻膠層；

以曝光后的光刻膠層為掩模，刻蝕所述像素區的第二絕緣層，以使所述像素區的第二絕緣層的表面與所述邏輯區的第二絕緣層的表面齊平。

5.如權利要求4所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，刻蝕所述像素區的第二絕緣層的刻蝕速率為676埃/分鐘至1014埃/分鐘，刻蝕時間為15秒至20秒。

6.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層的材料為硅化鎳。

7.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣層的材料為氮化硅。

8.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為氮化硅。

9.如權利要求1所述的接觸孔的形成方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為氧化物。

10.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底上定義有邏輯區和像素區，所述邏輯區和像素區分別形成有器件結構；

第一絕緣層，形成在所述像素區的器件結構上；

金屬硅化物阻擋層，形成在所述邏輯區的器件結構上；

表面齊平的第二絕緣層，形成在所述金屬硅化物阻擋層上和所述第一絕緣層上；

層間介質層，形成在所述表面齊平的第二絕緣層上；

暴露出所述邏輯區的金屬硅化物阻擋層的接觸孔；以及，

暴露出所述像素區的器件結構的接觸孔。