[發明專利]一種超薄的太赫茲強吸收體在審
| 申請號： | 201810216644.2 | 申請日： | 2018-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN108387956A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 白晉軍;葛梅蘭;張曙升;孫曉東;常勝江 | 申請（專利權）人： | 天津工業大學 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300387 *** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 強吸收 半導體介質層 空氣孔 吸收率 金屬薄膜層 周期分布 超材料 疊加 | ||
【權利要求書】：
1.一種超薄的太赫茲強吸收體，其特征在于所述太赫茲強吸收體由金屬薄膜層1和半導體介質層2疊加而成，其中所述的半導體介質層中有周期分布的圓柱空氣孔結構。
2.根據權利要求1所述的太赫茲強吸收體，其特征在于所述金屬薄膜層的材料為貴金屬。
3.根據權利要求1所述的太赫茲強吸收體，其特征在于所述金屬薄膜層的厚度t1大于入射太赫茲波的趨膚深度。
4.根據權利要求1所述的太赫茲強吸收體，其特征在于所述半導體介質層的材料為半導體。
5.根據權利要求1所述的太赫茲強吸收體，其特征在于所述半導體介質層的厚度t2為3-5μm。
6.根據權利要求1所述的太赫茲強吸收體，其特征在于所述周期分布的空氣孔半徑r為20-38μm，周期a為80μm。
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