[發明專利]晶片脫附的方法、裝置及半導體處理設備

有效

• 申請號: 201810214819.6
• 申請日: 2018-03-15
• 公開（公告）號: CN110277328B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 李靖
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

1.一種晶片脫附的方法，其特征在于，包括：

步驟S110、伺服控制器獲取預設安全扭矩值；

步驟S120、所述伺服控制器控制伺服電機驅動頂針機構運動，以對晶片進行脫附，并獲取所述伺服電機驅動過程中的最大扭矩值；

步驟S130、所述伺服控制器判斷所述最大扭矩值是否大于所述預設安全扭矩值，是則執行步驟S140，否則無粘片產生，完成晶片脫附；

步驟S140、所述伺服控制器控制所述伺服電機抱閘；

執行所述步驟S140之后繼續執行下述步驟：

步驟S150、所述伺服控制器獲取所述伺服電機抱閘瞬間的扭矩值；

步驟S160、基于所述伺服電機抱閘瞬間的扭矩值，確定對靜電卡盤加載反向電壓的加載時間T；

步驟S170、向所述靜電卡盤加載T時間的反向電壓后轉至所述步驟S120。

2.根據權利要求1所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述步驟S160中，確定所述加載時間T的方法包括：

步驟S161、獲取N個測試晶片，對N個所述測試晶片依次編號為1、2、3…N，其中，N為大于或等于1的正整數；

步驟S162、分別獲取N個所述測試晶片的加載正向電壓的時間以及在所述伺服電機驅動過程中的最大測試扭矩值；

步驟S163、根據每個所述測試晶片的加載正向電壓的時間以及所述最大測試扭矩值生成測試集合A，并基于所述測試集合A，確定加載反向電壓的加載時間T。

3.根據權利要求2所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述步驟S162中，對每個所述測試晶片均進行下述步驟：

將當前測試晶片M放置到所述靜電卡盤的表面，并對所述靜電卡盤加載T_M時間的正向電壓，其中，1≤M≤N；

所述伺服電機驅動所述頂針機構運動，以脫附所述靜電卡盤上的所述當前測試晶片M，所述伺服控制器獲取所述伺服電機驅動過程中的所述當前測試晶片M對應的最大測試扭矩值W_M。

4.根據權利要求3所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述步驟S163具體為：

根據所述測試集合A，其中，A＝{(T₁,W₁),(T₂,W₂)…(T_N,W_N)}，基于最小二乘法進行曲線擬合，生成最大測試扭矩值與加載正向電壓的時間的關系曲線，得到最大測試扭矩值與加載正向電壓的時間的函數關系式；

基于所述最大扭矩值和所述函數關系式，確定加載反向電壓的加載時間T。

5.根據權利要求3所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述步驟S163具體為：

根據所述測試集合A，其中，A＝{(T₁,W₁),(T₂,W₂)…(T_N,W_N)}，基于最小二乘法進行曲線擬合，生成最大測試扭矩值與加載正向電壓的時間的關系曲線，得到最大測試扭矩值與加載正向電壓的時間的函數關系式；

將所述最大扭矩值與預設安全扭矩值的預定部分作差處理，獲得負載扭矩值，將所述負載扭矩值代入所述函數關系式中，確定加載反向電壓的加載時間。

6.根據權利要求5所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述預設安全扭矩值的預定部分為所述預設安全扭矩值的一半。

7.根據權利要求2至6中任意一項所述的晶片脫附的方法，其特征在于，所述測試晶片的加載正向電壓的時間小于或等于5s。